Сенокосов, Э. А. Координатно-чувствительные фотоприемники на основе полупроводниковых слоев nCdTe: In [Текст] / Э. А. Сенокосов, В. В. Сорочан // Вестник Мордовского госуниверситета. - 2007. - N 3. - С. 103-109 : Рис. - Библиогр.: c. 108-109 (11 назв. ) . - ISSN 0236-2007
Рубрики: Фотоэлектрические приборы Радиоэлектроника Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): координатно-чувствительные фотоприемники -- оптоэлектронные приборы -- позиционно-чуствительные фотоприемники -- полупроводниковые слои -- сенсорные элементы -- фотоприемники Аннотация: Среди полупроводниковых датчиков особое место занимают позиционные сенсорные элементы, предназначенные для регистрации и преобразования в аналоговый или цифровой электрический сигнал информации о пространственных перемещениях механических и светоизлучающих объектов. Вторым этапом развития подобной техники явилась разработка сенсорных элементов, работа которых основывалась на координатной зависимости внутреннего сопротивления фотоприемников и фотоприемников на основе МОП структур. В статье представлено описание координатно-чувствительных фотоприемников на основе полупроводниковых слоев и их отличительных свойств. Доп.точки доступа: Сорочан, В. В. |
Урбанович, Александр Иосифович (кандидат физико-математических наук). Моделирование процессов плавления и кристаллизации, инициируемых в арсениде галлия и антимониде галлия наносекундным излучением рубинового лазера [Текст] / А. И. Урбанович, С. П. Жвавый // Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. - 2012. - № 1. - С. 34-39. - Библиогр.: с. 39 (29 назв. ) . - ISSN 0321-0367
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): моделирование процессов -- плавление -- кристаллизация -- арсенид галлия -- антимонид галлия -- лазерное излучение -- рубиновый лазер -- электронные расплавы -- полупроводники -- вакуумная техника Аннотация: Результаты численного моделирования процессов плавления и кристаллизации в арсениде галлия и антимониде галлия, инициируемых наносекундным излучением рубинового лазера, с учетом испарения с поверхности диффузии компонентов в расплаве. Доп.точки доступа: Жвавый, Сергей Павлович (доктор физико-математических наук) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Лунин, Б. С. Релаксация структуры кварцевого стекла КУ-1 при отжиге [Текст] / Б. С. Лунин, А. Н. Харланов // Вестник Московского университета. Сер. 2, Химия. - 2011. - С. 403-405. - Библиогр.: c. 405 (2 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Молекулярная физика в целом Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кварцевое стекло -- отжиг -- релаксационные процессы -- релаксация структуры стекла -- структура стекла -- температурная зависимость -- энергия активации Аннотация: Исследован процесс релаксации структуры кварцевого стекла КУ-1 при отжиге в диапазоне температур 825-980% C, определена энергия активации релаксационного процесса. Доп.точки доступа: Харланов, А. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок n-GaN [Текст] / В. Н. Брудный [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - С. 47-51. - Библиогр.: c. 51 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): Ферми уровень -- заглубление уровня Ферми -- нитрид галлия -- облучение электронами -- радиационные дефекты -- радиация -- уровень Ферми -- электронное облучение -- электронные свойства -- эпитаксиальные пленки n-GaN Аннотация: Рассмотрено влияние облучения электронами (E=7, D= 10{16}-10{18} см{-2}) и последующей термообработки в интервале температур 100-1000 °С на электрофизические свойства нелегированных, n = 1 10{14}-1 10{16} см{-3}, промежуточно-легированных, (1, 2-2) -10{17} см{-3}, и сильно легированных кремнием, n = (2-3, 5) 10{18} см{-3}, эпитаксиальных пленок n-GaN, выращенных на подложке АI[2]О[3] (001) с использованием МОСГФЭ-технологии. Обнаружено увеличение удельного электросопротивления n-GaN и закрепление уровня Ферми в предельном положении вблизи Е[с] - 0, 9 эВ при электронном облучении. В интервале температур 100-1000 °С исследовано восстановление исходных свойств облученного материала. Выявлена стадия "обратного" отжига в интервале температур 300-400 °С. Доп.точки доступа: Брудный, В. Н.; Веревкин, С. С.; Колин, Н. Г.; Корулин, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001) [Текст] / Е. А. Емельянов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 1. - С. 49-54 : рис. - Библиогр.: c. 54 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- вицинальная подложка -- кристаллографические свойства пленок -- метод МЛЭ -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- морфология поверхности -- эпитаксиальные пленки -- эпитаксия Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) выращены пленки GaAs на подложках Si, отклоненных от плоскости (001) на 6° в направлении. Пленки GaAs выращивались как на поверхности Si, терминированной атомами мышьяка, так и на тонких псевдоморфных слоях GaP/Si. Зарождение слоев GaAs осуществлялось методом атомно-слоевой эпитаксии при низкой температуре. Выращенные структуры различались кристаллографической ориентацией пленки GaAs относительно направления отклонения подложки. Методами рентгеновской дифрактометрии и атомно-силовой микроскопии (АСМ) проведены исследования выращенных структур. Доп.точки доступа: Емельянов, Е. А.; Коханенко, А. П.; Пчеляков, О. П.; Лошкарев, И. Д.; Селезнев, В. А.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Преображенский, В. В.; Zhicuan Niu; Haiqiao Ni Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Брус, В. В. Электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-Tio_2/n-GaP [Текст] / В. В. Брус, З. Д. Ковалюк, П. Д. Марьянчук // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 2. - С. 108-109 : рис. - Библиогр.: c. 109 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- диоксид титана -- окислы металлов -- полупроводниковые гетероструктуры -- фосфид галия Аннотация: В статье рассмотрены электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-Tio_2/n-GaP. Доп.точки доступа: Ковалюк, З. Д.; Марьянчук, П. Д. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |