Мурин, Д. Много лет спустя [Текст] / Д. Мурин // Открытые системы. - 2001. - N 3. - С. . 77-80. - , , , . - НБ УлГУ. - osys01_000_003
Кл.слова (ненормированные): Нобелевская премия -- транзисторы -- микрочипы -- гетероструктуры -- информационные технологии Аннотация: Два из трех открытий, заложивших основы современных информационных технологий, были отмечены Нобелевскими премиями по физике в 1947 году (открытие транзисторов) и в 1964 году (открытие лазерно-мазерного принципа). Третье, произошедшее в 1958 году, - создание интегральных схем - "дождалось" своей очереди только в 2000 году. Доп.точки доступа: Алферов \ж.\; Килби \д.\; Кремер \г.\ Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Алферов, Ж. Перспективы электроники в России [Текст] : гетероструктурная электроника и акустоэлектроника / Ж. Алферов // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2004. - N 6. - С. . 90-93. - RUMARS-entb04_000_006_0090_1
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): СВЧ-электроника -- СБИС -- наногетероструктурная электроника -- оптоэлектроника -- гетероструктуры -- светодиоды -- лазеры -- инжекционные лазеры -- акустоэлектроника Аннотация: Статья посвящена наиболее перспективным направлениям отечественной микроэлектроники. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Алферов, Жорес Иванович (ученый-физик, лауреат Нобелевской премии). К солнечному веку [Текст] / Ж. И. Алферов ; Н. Метельская // Экология - XXI век: наука и политика. - 2007. - Т. 7, N 6 (45). - С. 75-79
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): интервью -- ученые -- нобелевские лауреаты -- научные исследования -- физические науки -- полупроводниковые гетероструктуры -- полупроводниковые лазеры -- наукоемкие отрасли промышленности -- человеческий потенциал Аннотация: Ответы Ж. И. Алферова на вопросы корреспондента газеты "Завтра" Н. Метельской. Доп.точки доступа: Метельская, Н. \.\ |
Караваев, Г. Ф. Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGan(0001) [Текст] / Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышов, А. Н. Разжувалов // Известия вузов. Физика. - 2012. - С. 34-40 : рис. - Библиогр.: c. 40 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): вюртцитные кристаллы -- гетероструктуры -- дырочные состояния -- квантовая яма -- метод огибающих функций -- огибающие функции -- уровень энергии -- условия сшивания Аннотация: В рамках метода огибающих функций рассмотрены различные условия их сшивания на гетерограницах GaN/InGaN (0001). Обычно используются условия сшивания, при которых для состояний в центре плоской зоны Бриллюэна функции сшиваются с функциями, а производные с производными. В этом случае огибающие функции обладают симметрией (антисимметрией) относительно центра квантовой ямы. Такого не должно быть в анизотропных нитридных гетероструктурах. Предложены условия сшивания, основанные на псевдопотенциальных расчетах. Эти условия качественно отличаются от обычно используемых и приводят к разрывам огибающих функций на гетерограницах, а также к снятию упомянутой выше симметрии даже без учета встроенных полей спонтанной и пьезоэлектрической поляризации. Огибающие функции электронов оказываются сдвинутыми относительно центра квантовой ямы в направлении гексагональной оси [0001], а огибающие функции дырок - в противоположном направлении. Рассмотренные нами разные условия сшивания приводят к энергетическим уровням в яме, отличающимся друг от друга в пределах нескольких миллиэлектронвольт. Важные для оптических характеристик интегралы перекрывания огибающих функций электронов и дырок различаются незначительно при использовании разных условий сшивания, однако некоторые из них становятся ненулевыми за счет снятия искусственной симметрии. Доп.точки доступа: Чернышов, В. Н.; Разжувалов, А. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком [Текст] / В. И. Олешко [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 1. - С. 55-58 : рис. - Библиогр.: c. 58 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Техника Сопротивление материалов Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): вынужденное излучение -- люминесценция тонкопленочных светодиодных структур -- нитрид галлия -- пленки GaAs -- светодиодные гетероструктуры -- сильноточные электронные пучки -- тонкопленочные светодиодные структуры Аннотация: Изучена возможность применения сильноточных электронных пучков для люминесцентного контроля светодиодных гетероструктур InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки. Показано, что возбуждение образцов электронным пучком со стороны гетероструктуры приводит к интенсивной люминесценции эпитаксиальных слоев GaN и InGaN, характеристики которой определяются предысторией образцов. Обнаружено вынужденное излучение, возникающее в отдельных светодиодных структурах при достижении плотности энергии электронного пучка порогового значения. Переход в режим вынужденного излучения в InGaN-квантовых ямах сопровождается появлением светящегося «гало» вокруг зоны возбуждения. Доп.точки доступа: Олешко, В. И.; Горина, С. Г.; Корепанов, В. И.; Лисицын, В. М.; Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Брус, В. В. Электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-Tio_2/n-GaP [Текст] / В. В. Брус, З. Д. Ковалюк, П. Д. Марьянчук // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 2. - С. 108-109 : рис. - Библиогр.: c. 109 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- диоксид титана -- окислы металлов -- полупроводниковые гетероструктуры -- фосфид галия Аннотация: В статье рассмотрены электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-Tio_2/n-GaP. Доп.точки доступа: Ковалюк, З. Д.; Марьянчук, П. Д. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Действие низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур кадмий - ртуть - теллур p-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / Д. Ю. Протасов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 3. - С. 69-74 : рис. - Библиогр.: c. 73-74 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры кадмий - ртуть - теллур -- кадмий - ртуть - теллур -- низкотемпературные отжиги -- оже-спектроскопия -- фотодиоды Аннотация: Отжиг образцов КРТ p-типа при температурах 90-120 °С приводит к резкому (на два-три порядка) увеличению концентрации дырок. Если перед отжигом поверхность образцов не была защищена фоторезистором, они имели контакт с водными растворами и во время отжига были закреплены с помощью индия, имеющего омический контакт с КРТ. Наличие индия на поверхности образцов приводит к появлению градиента элементов Hg и Cd в приповерхностной области при отжигах. Оже-спектроскопия не обнаруживает появление в таких образцах химических элементов, которые обычно являются акцепторами в КРТ. Акцептором, который приводит к возрастанию концентрации дырок, может являться водород. Доп.точки доступа: Протасов, Д. Ю.; Новоселов, А. Р.; Комбаров, Д. В.; Костюченко, В. Я.; Долбак, А. Е.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Красников, Г. Я. Жизнь и деятельность Нобелевского лауреата [Текст] / Г. Я. Красников // Вестник Российской академии наук. - 2020. - Т. 90, № 6. - С. 503-507 . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Наука. Науковедение Организация науки--Россия--Москва, 2020 г. Кл.слова (ненормированные): Нобелевская премия по физике -- волоконно-оптическая связь -- гетеропереходы -- двойные лазерные гетероструктуры -- лазерные гетероструктуры -- науковедение -- полупроводники -- ученые-физики -- электронная промышленность -- юбилеи Аннотация: Статья посвящена 90-летию со дня рождения академика РАН Жореса Ивановича Алферова. Доп.точки доступа: Алферов, Ж. И. (академик РАН; лауреат Нобелевской премии ; 1930-2019); Российская академия наукРАН Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
В память о выдающемся соотечественнике [Текст] / составитель Г. А. Заикина // Вестник Российской академии наук. - 2020. - Т. 90, № 6. - С. 508-513 . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Наука. Науковедение Организация науки--Россия--Москва, 2020 г. Кл.слова (ненормированные): волоконно-оптическая связь -- гетеропереходы -- гетероструктурная фотоника -- двойные лазерные гетероструктуры -- лазерные гетероструктуры -- науковедение -- нобелевская премия по физике -- полупроводники -- полупроводниковая гетероструктурная фотоника -- ученые-физики -- фотоника -- электронная промышленность -- юбилеи Аннотация: Статья посвящена жизни и деятельности выдающегося ученого-физика Жореса Ивановича Алферова. Доп.точки доступа: Заикина, Г. А. (кандидат философских наук) \.\; Алферов, Ж. И. (академик РАН; лауреат Нобелевской премии ; 1930-2019); Гуляев, Ю. В. (академик РАН); Забродский, А. Г. (академик РАН); Зюганов, Г. А.; Иванов, С. В. (доктор физико-математических наук); Сергеев, А. М. (академик РАН); Устинов, В. М. (член-корреспондент РАН); Российская академия наук; РАН Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |