Пахомов, Пахомов Сергей. Революция в производстве транзисторов [Текст] / С.Пахомов // КомпьютерПресс. - 2004. - N 1. - С. . 76-83. - s, 2004, , rus. - НТБ СГТУ. - N 1. - С. 76-83. - calc04_000_001_076_1, 1, 76-83
Рубрики: Вычислительная техника--Другие отрасли радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- планарные транзисторы -- процессоры -- Intel (компания) -- производство ЭВМ -- полупроводники -- диэлектрики -- материаловедение -- сплавы -- диэлектрическая проницаемость -- затворы транзисторов Аннотация: Специалисты Intel создали новые транзисторы с рекордно высокими параметрами производительности вследствие использования ранее неизвестного диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и новых сплавов для производства затвора транзистора. Такие транзисторы позволят снизить энергопотребление и тепловыделение в процессорах будущего. О деталях новой технологии, а также о принципах принципы функционирования планарных транзисторов. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Лапин, А. Пленочные конденсаторы отечественные и фирмы Wima [Текст] / А. Лапин // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2004. - N 6. - С. . 45-47. - Библиогр.: с. 47 (2 назв. ). - RUMARS-entb04_000_006_0045_1
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): конденсаторы -- пленочные конденсаторы -- полупроводники -- диэлектрики Аннотация: Конденсатор - изделие, обладающее сложным комплексом потребительских параметров. Поэтому особенности проектирования, выбора и применения пленочных конденсаторов представляют большой интерес. Доп.точки доступа: Wima, фирма Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Рожков, В. А. Оксид гадолиния. Новые диэлектрические структуры для СБИС [Текст] / В. А. Рожков [и др. ] // Вестник Самарского государственного университета. - 2004. - N 4. - С. . 124-131. - 0; Новые диэлектрические структуры для СБИС. - RUMARS-vssu04_000_004_0124_1
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): гадолиний -- диэлектрики -- СБИС -- оксид гадолиния Аннотация: Исследована новая диэлектрическая структура, состоящая из тонкого термически окисленного гадолиния на кремнии в качестве диэлектрика конденсатора с большой накопительной способностью для сверхбольших интегральных схем (СБИС) . Доп.точки доступа: Родионов, М. А.; Пашин, А. В.; Гурьянов, А. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Пахомов, Сергей. Нанотехнологии на службе Intel [Текст] / Сергей Пахомов // КомпьютерПресс. - 2005. - N 4. - С. . 152-159. - RUMARS-calc05_000_004_0152_1
Рубрики: Вычислительная техника--Элементы и узлы микро-ЭВМ Кл.слова (ненормированные): high-K-диэлектрики -- технология напряженного кремния -- нанотехнологии -- транзисторы -- трехмерные транзисторы -- диэлектрики Аннотация: О разработке альтернативных технологий (нанотехнологий) специалистами корпорации Intel. Рассказывается о high-K- диэлектриках, трехмерных транзисторах, технологии напряженного кремния. Доп.точки доступа: Intel, корпорация Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Рожков, В. А. Электрофизические свойства структур металл-оксид эрбия-кремний [Текст] / В. А. Рожков, М. А. Родионов // Вестник Самарского государственного университета. Естественнонаучная серия. - 2004. - Второй спец. вып. - С. . 94-99. - Библиогр.: с. 99. - s, 2004, , rus. - RUMARS-vssu04_000_000_0094_1. - Научная библиотека Самарского государственного университета. - Естественнонаучная серия, Второй спец. вып. - С. 94-99. - vssu04_000_000_0094_1, 0, 94-99
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- фотоварикапы -- диэлектрики -- редкоземельные элементы -- МДП-структуры -- МДП-варикапы -- металл-диэлектрик-полупроводник Аннотация: Исследованы электрофизические свойства структур алюминий-оксид эрбия-кремний. Показана перспективность использования исследованных структур в качестве МДП-варикапов с высоким значением коэффициента перекрытия емкости. Доп.точки доступа: Родионов, М. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Рожков, В. А. Энергетические барьеры на межфазных границах в МДП-системе алюминий-оксид эрбия-кремний [Текст] / В. А. Рожков, М. А. Родионов // Вестник Самарского государственного университета. Естественнонаучная серия. - 2004. - Второй спец. вып. - С. . 101-105. - Библиогр.: с. 105. - s, 2004, , rus. - RUMARS-vssu04_000_000_0101_1. - Научная библиотека Самарского государственного университета. - Естественнонаучная серия, Второй спец. вып. - С. 101-105. - vssu04_000_000_0101_1, 0, 101-105
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- диэлектрики -- МДП-структуры -- металл-диэлектрик-полупроводник -- оксид эрбия Аннотация: Исследуются свойства новых перспективных диэлектрических материалов. Доп.точки доступа: Родионов, М. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Плеханов, Ю. Г. Метод температурных измерений диэлектрической проницаемости и потерь в керамике BaTiO[3] на СВЧ-32, 53 ГГЦ [Текст] / Ю. Г. Плеханов // Вестник Самарского государственного университета. - 2005. - N 3. - С. . 135-140. - Библиогр.: с. 140. - s, 2005, , rus. - RUMARS-vssu05_000_003_0135_1. - Научная библиотека Самарского государственного университета. - Естественнонаучная серия, N 3. - С. 135-140. - vssu05_000_003_0135_1, 3, 135-140
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): диэлектрики -- сегнетоэлектрики -- пьезокерамика -- постоянная Кюри-Вейсса -- Кюри-Вейсса постоянная -- СВЧ-установки Аннотация: В работе приводится блок-схема новой экспериментальной СВЧ-установки с применением открытого резонатора, работающего на колебаниях ТЕМ[ooq]. Исследуются температурные зависимости диэлектрической проницаемости и потерь в поликристаллическом BaTiO[3] с различными добавками на СВЧ-32, 53 ГГц в области температур 20-300 градусов методом открытого полуконфокального резонатора. Экспериментально определена постоянная Кюри-Вейсса на частоте 32, 53 ГГц. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Гурьянов, А. М. Распределение компонентов в кремниевых МДП-структурах с диэлектрическими пленками из оксидов редкоземельных элементов [Текст] / А. М. Гурьянов [и др. ] // Вестник Самарского государственного университета. - 2006. - N 2. - С. . 147-154. - Библиогр.: с. 153-154. - s, 2006, , rus. - RUMARS-vssu06_000_002_0147_1. - Научная библиотека Самарского государственного университета. - Естественнонаучная серия, N 2. - С. 147-154. - vssu06_000_002_0147_1, 2, 147-154
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): диэлектрики -- МДП-структуры -- диэлектрические пленки -- металл-диэлектрик-полупроводник структуры -- редкоземельные элементы -- оксиды редкоземельных элементов Аннотация: Методами резерфордовского обратного рассеяния и ядерных реакций исследованы элементный состав и концентрационные профили компонентов в кремниевых МДП-структурах с одно- и двухслойными диэлектрическими пленками из оксидов редкоземельных элементов. Установлено наличие резких межфазных границ в данных структурах. Определен элементный состав пленок оксидов диспрозия, гадолиния, иттрия, эрбия, гольмия и скандия, а также двойных диэлектрических пленок оксид скандия-оксид эрбия и оксид скандия-оксид гольмия. Отмечается, что элементный состав пленок близок к стехиометрическому. Доп.точки доступа: Пашин, А. В.; Латухина, Н. В.; Лебедев, В. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Шалимова, М. Б. Параметры границы раздела фторсодержащих пленок с кремниевой (германиевой) подложкой [Текст] / М. Б. Шалимова, А. С. Михайлов, С. В. Шерстнева // Вестник Самарского государственного университета. - 2006. - N 3. - С. . 179-184. - Библиогр.: с. 184. - s, 2006, , rus. - RUMARS-vssu06_000_003_0179_1. - Научная библиотека Самарского государственного университета. - Естественнонаучная серия, N 3. - С. 179-184. - vssu06_000_003_0179_1, 3, 179-184
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): диэлектрики -- полупроводники -- фториды редкоземельных элементов -- кремний -- кремниевые подложки -- германиевые подложки -- фторид эрбия -- фторид тулия -- фторид гадолиния -- металл-туннельные диэлектрики Аннотация: Представлены результаты исследования электрофизических характеристик структур металл-туннельный диэлектрик-полупроводник. В качестве диэлектрика использовались фториды эрбия, тулия, гадолиния. Определены параметры границы раздела, такие как энергетическое распределение плотности поверхностных состояний, значение поверхностного потенциала. Доп.точки доступа: Михайлова, А. С.; Шерстнева, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Лукичев, Александр Александрович (канд. физ.-мат. наук; ст. науч. сотрудник). Спектральная функция линейного осциллятора, колеблющегося в нелинейной среде при наличии потенциального поля [Текст] / А. А. Лукичев // Вестник Амурского государственного университета. - 2008. - Вып. 41. Сер. Естеств. и экон. науки. - С. 15-17 : Ил., 4 рис. - Библиогр. в конце ст.
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): диэлектрики -- диэлектрическая проницаемость -- электрические свойства диэлектриков -- сегнетоэлектрика -- функция Лоренца -- Лоренца функция -- осцилляторы -- спектральные функции -- диэлектрические спектры Аннотация: В статье представлена разработанная модель, позволяющая описать влияние постоянного электрического поля на спектральную функцию диэлектрика. |
Еремин, И. Е. Моделирование упругой электронной поляризации композиционных электрокерамик. [Текст]. Ч. I / И. Е. Еремин, О. В. Жилиндина // Информатика и системы управления. - 2008. - N 1 (15). - С. 28-38 : Ил., 4 табл.; 12 рис. - Библиогр.: с. 38 (8 назв. ) . - ISSN 1814-2400
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диэлектрики -- микролит -- керамика -- кордиеритовая керамика -- промышленные электрокерамики -- электронная поляризация -- кристаллы -- диэлектрические спектры -- ионные кристаллы Аннотация: Рассматривается возможность имитационного моделирования диэлектрических спектров ряда промышленных образцов композиционных электрокерамик, имеющих место в области установления упругой электронной поляризации частиц. В первой части работы описываются математические модели поляризационных процессов, происходящих в отдельно взятых композитах. Доп.точки доступа: Жилиндина, О. В. |
Еремин, Илья Евгеньевич (канд. физ.-мат. наук; доц. каф. ИиУС). Методика расчета диэлектрических свойств композиционных электрокерамик [Текст] / И. Е. Еремин, О. В. Жилиндина // Вестник Амурского государственного университета. - 2008. - Вып. 43. Естеств. и экон. науки. - С. 19-22 : 3 рис.; 2 табл. - Библиогр.: с. 22 (6 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): керамика -- математические модели -- керамические диэлектрики -- корундовая керамика -- диэлектрические спектры керамики -- диэлектрическая проницаемость -- композиционные электрокерамики -- методики расчета Аннотация: Рассмотрена разработанная методика, позволяющая достаточно точно имитировать характеристики комплексной диэлектрической проницаемости оксидных керамик, имеющих место в области установления процессов их упругой электронной поляризации. Доп.точки доступа: Жилиндина, Ольга Викторовна (ассистент каф. ИиУС) |
Магниты для молекулярной спинтроники [Текст] // Природа. - 2008. - N 12. - С. 76 . - ISSN 0032-874X
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): приборы -- магниты -- диэлектрики -- полупроводники -- молекулярная спинтроника -- спинтроника -- спинтронные устройства Аннотация: Всего за 10 лет (рекордно короткий срок даже для науки XXI века) пройден спинтроникой путь от фундаментальных исследований до первых работающих приборов. В настоящее время активно изучается возможность замены металлов как компонентов спинтронных устройств на полупроводники и диэлектрики. |
Кун, Келин. Сказание о 45 нанометрах [Текст] / К. Кун // Вы и ваш компьютер. - 2009. - N 3. - С. 21-22 : 3 фот.
Рубрики: Вычислительная техника Архитектура вычислительных машин в целом Кл.слова (ненормированные): процессоры -- микроархитектура Intel Core -- миниатюрные транзисторы -- диэлектрики high-k -- 45-нм процесс Аннотация: Процессоры с микроархитектурой Intel Core выпускаются по 45-нм производственной технологии и содержат сотни миллионов разработанных Intel революционных миниатюрных транзисторов с диэлектриками high-k на основе оксида гафния и металлическими затворами. Доп.точки доступа: Компания Intel; Intel, компания |
Масловская, Анна Геннадьевна (кандидат физико-математических наук; докторант; доцент кафедры МАиМ). Применение сеточных методов решения эволюционных задач для математического моделирования индуцированной электронным зондом зарядки диэлектриков [Текст] / А. Г. Масловская, А. А. Красновид, А. В. Сивунов // Вестник Амурского государственного университета. - 2011. - Вып. 55: Сер. Естеств. и экон. науки. - С. 43-52 : рис.; табл. - Библиогр.: с. 51-52 (11 назв. ) . - ISSN 2073-0268
Рубрики: Физика Математическая физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): эволюционные задачи -- диэлектрики -- электронные зонды -- полярные диэлектрики -- зарядка диэлектриков -- микроскопы -- растровые микроскопы -- сеточные методы решения задач -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- математическая модель распределения зарядов Аннотация: В статье представлены результаты моделирования динамических процессов зарядки полярных диэлектриков в растровом электронном микроскопе. Реализация компьютерной модели основана на совместном численном решении уравнения непрерывности и уравнения Пуассона с учетом собственной радиационно-стимулированной проводимости облученного образца. Первоначальное распределение зарядов определено с помощью метода Монте-Карло. для решения задачи использованы метод конечных разностей и метод конечных элементов, реализуемые в ППП Matlab. Предложенная математическая модель позволяет исследовать динамику процесса зарядки, а также оценить поверхностное значение потенциала при заданных параметрах экспериментального наблюдения. Доп.точки доступа: Красновид, Анжелика Андреевна (студентка); Сивунов, Антон Валерьевич (аспирант) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Заводовский, А. Г. Инерционная поляризация диэлектрика [Текст] / А. Г. Заводовский // Известия вузов. Физика. - 2012. - С. 50-53 : рис. - Библиогр.: c. 53 (4 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): инерционная поляризация -- линейные диэлектрики -- поляризационные заряды Аннотация: Обнаружено, что ускоренное движение линейного диэлектрика приводит к его поляризации. При ускоренном поступательном движении пластинки диэлектрика первая по направлению ускорения поверхность заряжается положительно. Для регистрации поляризационных зарядов на поверхности пластинки накладывались металлические обкладки. Разность потенциалов между обкладками пропорциональна величине ускорения, а при постоянном значении ускорения растет с увеличением площади поверхности диэлектрика, его диэлектрической проницаемости и слабо зависит от толщины диэлектрика. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Гефле, О. С. Влияние способа переработки на характеристики дендритообразования полимерных диэлектриков [Текст] / О. С. Гефле, С. М. Лебедев // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 5. - С. 25-34 : табл., рис. - Библиогр.: c. 33-34 (21 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Химическая технология Высокомолекулярные соединения в целом Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): высоковольтные изоляционные изделия -- дендритообразование полимерных диэлектриков -- дендритостойкость -- изоляционные изделия -- полимерные диэлектрики -- полимерные материалы -- прочность полимеров -- разрушение полимеров -- сильное электрическое поле -- скорость разрушения материалов -- температуропроводность полимеров -- электрические силы Аннотация: Приведены результаты исследований влияния способа переработки на дендритостойкость полистирола, полиметилметакрилата и поликарбоната. Показано, что при наличии остаточных внутренних напряжений, формирующихся на стадии переработки, наибольшей дендритостойкостью обладают полимеры с более высоким пределом текучести при растяжении. Уменьшить скорость роста дендритов и увеличить время до пробоя полимерных диэлектриков можно за счет уменьшения коэффициента температуропроводности базовых полимеров. Доп.точки доступа: Лебедев, С. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Релаксационные поляризации в диэлектриках при распределении релаксаторов Хигаси [Текст] / А. С. Богатин [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 1. - С. 59-62 : рис. - Библиогр.: c. 62 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): Хигаси релаксаторы -- диэлектрики -- распределение релаксаторов -- релаксаторы Хигаси -- релаксационные поляризации -- сильные релаксации -- слабые релаксации Аннотация: Исследовано разделение релаксационных поляризаций на сильные и слабые при распределении релаксаторов Хигаси. Установлены границы между сильными и слабыми поляризациями, зависящие от параметров распределения и отношения вкладов в диэлектрическую проницаемость вещества релаксационных и быстрых поляризаций. Область сильных релаксаций характеризуется наличием экстремумов в частотных зависимостях мнимых частей комплексной проводимости. Доп.точки доступа: Богатин, А. С.; Турик, А. В.; Андреев, Е. В.; Игнатова, Ю. А.; Ковригина, С. А.; Богатина, В. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Емельянов, Е. В. О роли диаметра квазиоптического пучка при исследованиях электромагнитных характеристик диэлектрических образцов [Текст] / Е. В. Емельянов // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 1. - С. 85-89 : рис. - Библиогр.: c. 89 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Теоретические основы радиотехники Радиоэлектроника Другие отрасли радиоэлектроники Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): гауссов пучок -- диаметр квазиоптического пучка -- диэлектрики -- квазиоптика -- терагерцовый диапазон -- электромагнитные характеристики Аннотация: В представлении квазиоптического пучка в виде суперпозиции плоских монохроматических волн определена степень влияния поперечных размеров квазиоптического пучка при исследовании электрофизических характеристик диэлектрических образцов плоскопараллельной геометрии. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Зависимость диэлектрической проницаемости композита от концентрации и способа введения проводящего наполнителя [Текст] = The Dielectric Permitivity Dependence of Composite Material From Concentration Method Conducting Filler / В. М. Четвериков [и др.] // Качество. Инновации. Образование. - 2013. - № 12. - С. 63-67 : 7 рис. - Библиогр.: с. 66 (6 назв.)
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): геостационарная орбита -- диэлектрики -- диэлектрическая проницаемость композита -- изготовление композитных диэлектриков -- композитный модельный диэлектрик -- космические аппараты -- модельные диэлектрики -- наполнители -- пониженная электризуемость -- проводящие наполнители -- физико-математические модели явления -- электронные средства Аннотация: Для моделирования работы электронных средств для работы космических аппаратов на околоземных орбитах, включая геостационарную орбиту разработана технология изготовления композитного модельного диэлектрика, обладающего пониженной электризуемостью. Доп.точки доступа: Четвериков, Виктор Михайлович (профессор); Смирнов, Дмитрий Дмитриевич (аспирант); Абрамешин, Андрей Евгеньевич (профессор); Гузенкова, Александра Сергеевна (кандидат технических наук; доцент) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |