Научная библиотека СГЮА

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

Книги фонда НБ СГЮА

Дипломные работы выпускников СГЮА за последние 5 лет

Авторефераты

Диссертации

Период.издания науч.абонемента

Редкие книги Научной библиотеки СГЮА

Каталог электронных носителей

Труды ученых СГЮА

Саратовский край

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=эпитаксия<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Казаков, А. А.
НИИ "Полюс" [Текст] : технология успеха / А. А. Казаков ; Беседовали И. Г. Титова и И. В. Шахнович // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2004. - N 6. - С. . 4-8. - RUMARS-entb04_000_006_0004_1

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
квантовая электроника -- НИИ -- дальномеры -- лазеры -- эпитаксия -- финансирование науки -- УФ-излучения -- банковские кредиты -- оборонные заказы
Аннотация: Интервью с генеральным директором НИИ "Полюс" А. А. Казаковым.

Доп.точки доступа:
Титова И. Г. \.\; Шахнович И. В. \.\; "Полюс", НИИ; НИИ "Полюс"
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Структура пленок Si/Al2O2 и пути улучшения их качества [Текст] / С. А. Денисов [и др. ] // Вестник Мордовского госуниверситета. - 2007. - N 3. - С. 79-83 : Рис., таблицы. - Библиогр.: c. 83 (7 назв. ) . - ISSN 0236-2007

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кремний -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- пленки кремния -- сапфировые подложки -- слои кремния -- температуры роста -- эпитаксиальные слои
Аннотация: Целью представленной работы явилось исследование зависимости структурного совершенства слоев кремния на сапфире от температуры роста методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии, а также поиск путей для улучшения структурного совершенства слоев кремния и сглаживания их поверхности.

Доп.точки доступа:
Денисов, С. А.; Шенгуров, В. Г.; Светлов, С. П.; Чалков, В. Ю.

Найти похожие

Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе Cd_xHg_1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - С. 50-55 : рис. - Библиогр.: c. 55 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
КРТ МЛЭ -- гетероэпитаксиальные структуры -- зонная диаграмма -- квантовая яма -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наногетероструктуры -- полупроводниковые структуры -- фотолюминесценция структур
Аннотация: Представлена теоретическая модель описания зонной диаграммы и спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных (ГЭС) структур на основе Cd_xHg_1-xTe (КРТ) с потенциальными и квантовыми ямами (КЯ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Особенностью представленной модели является то, что в ней учтена зависимость электронного сродства от состава КРТ и температуры, а также композиционные зависимости концентраций электронов в собственном и дырок в вакансионно-легированном КРТ. Проведены расчёты и сравнение с экспериментальными данными спектров фотолюминесценции различных структур с КЯ, описанных в литературных источниках.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Горн, Д. И.; Ижнин, И. И.; Ижнин, А. И.; Гольдин, В. Д.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.; Сидоров, Ю. Г.; Якушев, М. В.; Варавин, В. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0,21-0,23) [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - С. 56-62 : рис. - Библиогр.: c. 62 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.3

ББК 31.264-04
Рубрики: Энергетика
Детали и узлы электрических аппаратов
Кл.слова (ненормированные):
МДП-структура -- металл-диэлектрик-полупроводник -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- теллурид кадмия ртути -- фотоэдс -- фотоэлектрические свойства МДП-структур
Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости фотоЭДС МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) от напряжения смещения, частоты и температуры. Рассчитаны фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе эпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23), в том числе с учетом наличия приповерхностных варизонных слоев с повышенным составом CdTe при различных температурах. Проведено сравнение расчетных зависимостей с экспериментальными данными и показано, что дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) без варизонного слоя ограничено туннелированием через глубокие уровни, а для структур с варизонным слоем - диффузией носителей заряда.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Васильев, В. В.; Варавин В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Якушев, М. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001) [Текст] / Е. А. Емельянов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 1. - С. 49-54 : рис. - Библиогр.: c. 54 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- вицинальная подложка -- кристаллографические свойства пленок -- метод МЛЭ -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- морфология поверхности -- эпитаксиальные пленки -- эпитаксия
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) выращены пленки GaAs на подложках Si, отклоненных от плоскости (001) на 6° в направлении. Пленки GaAs выращивались как на поверхности Si, терминированной атомами мышьяка, так и на тонких псевдоморфных слоях GaP/Si. Зарождение слоев GaAs осуществлялось методом атомно-слоевой эпитаксии при низкой температуре. Выращенные структуры различались кристаллографической ориентацией пленки GaAs относительно направления отклонения подложки. Методами рентгеновской дифрактометрии и атомно-силовой микроскопии (АСМ) проведены исследования выращенных структур.

Доп.точки доступа:
Емельянов, Е. А.; Коханенко, А. П.; Пчеляков, О. П.; Лошкарев, И. Д.; Селезнев, В. А.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Преображенский, В. В.; Zhicuan Niu; Haiqiao Ni
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)