Караваев, Г. Ф.
    Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGan(0001) [Текст] / Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышов, А. Н. Разжувалов // Известия вузов. Физика. - 2012. - С. 34-40 : рис. - Библиогр.: c. 40 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
вюртцитные кристаллы -- гетероструктуры -- дырочные состояния -- квантовая яма -- метод огибающих функций -- огибающие функции -- уровень энергии -- условия сшивания
Аннотация: В рамках метода огибающих функций рассмотрены различные условия их сшивания на гетерограницах GaN/InGaN (0001). Обычно используются условия сшивания, при которых для состояний в центре плоской зоны Бриллюэна функции сшиваются с функциями, а производные с производными. В этом случае огибающие функции обладают симметрией (антисимметрией) относительно центра квантовой ямы. Такого не должно быть в анизотропных нитридных гетероструктурах. Предложены условия сшивания, основанные на псевдопотенциальных расчетах. Эти условия качественно отличаются от обычно используемых и приводят к разрывам огибающих функций на гетерограницах, а также к снятию упомянутой выше симметрии даже без учета встроенных полей спонтанной и пьезоэлектрической поляризации. Огибающие функции электронов оказываются сдвинутыми относительно центра квантовой ямы в направлении гексагональной оси [0001], а огибающие функции дырок - в противоположном направлении. Рассмотренные нами разные условия сшивания приводят к энергетическим уровням в яме, отличающимся друг от друга в пределах нескольких миллиэлектронвольт. Важные для оптических характеристик интегралы перекрывания огибающих функций электронов и дырок различаются незначительно при использовании разных условий сшивания, однако некоторые из них становятся ненулевыми за счет снятия искусственной симметрии.


Доп.точки доступа:
Чернышов, В. Н.; Разжувалов, А. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)