Гурьянов, А. М.

    Распределение компонентов в кремниевых МДП-структурах с диэлектрическими пленками из оксидов редкоземельных элементов [Текст] / А. М. Гурьянов [и др. ] // Вестник Самарского государственного университета. - 2006. - N 2. - С. . 147-154. - Библиогр.: с. 153-154. - s, 2006, , rus. - RUMARS-vssu06_000_002_0147_1. - Научная библиотека Самарского государственного университета. - Естественнонаучная серия, N 2. - С. 147-154. - vssu06_000_002_0147_1, 2, 147-154
УДК
ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрики -- МДП-структуры -- диэлектрические пленки -- металл-диэлектрик-полупроводник структуры -- редкоземельные элементы -- оксиды редкоземельных элементов
Аннотация: Методами резерфордовского обратного рассеяния и ядерных реакций исследованы элементный состав и концентрационные профили компонентов в кремниевых МДП-структурах с одно- и двухслойными диэлектрическими пленками из оксидов редкоземельных элементов. Установлено наличие резких межфазных границ в данных структурах. Определен элементный состав пленок оксидов диспрозия, гадолиния, иттрия, эрбия, гольмия и скандия, а также двойных диэлектрических пленок оксид скандия-оксид эрбия и оксид скандия-оксид гольмия. Отмечается, что элементный состав пленок близок к стехиометрическому.


Доп.точки доступа:
Пашин, А. В.; Латухина, Н. В.; Лебедев, В. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)