Сенокосов, Э. А.
    Координатно-чувствительные фотоприемники на основе полупроводниковых слоев nCdTe: In [Текст] / Э. А. Сенокосов, В. В. Сорочан // Вестник Мордовского госуниверситета. - 2007. - N 3. - С. 103-109 : Рис. - Библиогр.: c. 108-109 (11 назв. ) . - ISSN 0236-2007
УДК
ББК 32.854 + 31.233 + 32.852
Рубрики: Фотоэлектрические приборы
   Радиоэлектроника

   Энергетика

   Полупроводниковые материалы и изделия

   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
координатно-чувствительные фотоприемники -- оптоэлектронные приборы -- позиционно-чуствительные фотоприемники -- полупроводниковые слои -- сенсорные элементы -- фотоприемники
Аннотация: Среди полупроводниковых датчиков особое место занимают позиционные сенсорные элементы, предназначенные для регистрации и преобразования в аналоговый или цифровой электрический сигнал информации о пространственных перемещениях механических и светоизлучающих объектов. Вторым этапом развития подобной техники явилась разработка сенсорных элементов, работа которых основывалась на координатной зависимости внутреннего сопротивления фотоприемников и фотоприемников на основе МОП структур. В статье представлено описание координатно-чувствительных фотоприемников на основе полупроводниковых слоев и их отличительных свойств.


Доп.точки доступа:
Сорочан, В. В.