Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок n-GaN [Текст] / В. Н. Брудный [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - С. 47-51. - Библиогр.: c. 51 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): Ферми уровень -- заглубление уровня Ферми -- нитрид галлия -- облучение электронами -- радиационные дефекты -- радиация -- уровень Ферми -- электронное облучение -- электронные свойства -- эпитаксиальные пленки n-GaN Аннотация: Рассмотрено влияние облучения электронами (E=7, D= 10{16}-10{18} см{-2}) и последующей термообработки в интервале температур 100-1000 °С на электрофизические свойства нелегированных, n = 1 10{14}-1 10{16} см{-3}, промежуточно-легированных, (1, 2-2) -10{17} см{-3}, и сильно легированных кремнием, n = (2-3, 5) 10{18} см{-3}, эпитаксиальных пленок n-GaN, выращенных на подложке АI[2]О[3] (001) с использованием МОСГФЭ-технологии. Обнаружено увеличение удельного электросопротивления n-GaN и закрепление уровня Ферми в предельном положении вблизи Е[с] - 0, 9 эВ при электронном облучении. В интервале температур 100-1000 °С исследовано восстановление исходных свойств облученного материала. Выявлена стадия "обратного" отжига в интервале температур 300-400 °С. Доп.точки доступа: Брудный, В. Н.; Веревкин, С. С.; Колин, Н. Г.; Корулин, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |