Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001) [Текст] / Е. А. Емельянов [и др.]> // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 1. - С. 49-54 : рис. - Библиогр.: c. 54 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- вицинальная подложка -- кристаллографические свойства пленок -- метод МЛЭ -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- морфология поверхности -- эпитаксиальные пленки -- эпитаксия Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) выращены пленки GaAs на подложках Si, отклоненных от плоскости (001) на 6° в направлении. Пленки GaAs выращивались как на поверхности Si, терминированной атомами мышьяка, так и на тонких псевдоморфных слоях GaP/Si. Зарождение слоев GaAs осуществлялось методом атомно-слоевой эпитаксии при низкой температуре. Выращенные структуры различались кристаллографической ориентацией пленки GaAs относительно направления отклонения подложки. Методами рентгеновской дифрактометрии и атомно-силовой микроскопии (АСМ) проведены исследования выращенных структур. Доп.точки доступа: Емельянов, Е. А.; Коханенко, А. П.; Пчеляков, О. П.; Лошкарев, И. Д.; Селезнев, В. А.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Преображенский, В. В.; Zhicuan Niu; Haiqiao Ni Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |