Зарубина, О. Н. Состав и строение межфазных границ на полупроводниках типа А{III} В{v}, формирующихся в жидкой среде [Текст] / О. Н. Зарубина, Г. М. Мокроусов, Е. П. Найден // Известия вузов. Физика. - 2011. - С. 69-77. - Библиогр.: c. 76-77 (18 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): межфазные границы поверхности -- межфазные превращения -- поверхности многоатомной толщины -- поверхности полупроводников -- поверхностные слои -- полупроводниковые соединения А{III}В{V} -- фазовые слои -- химическое травление Аннотация: На примере антимонида индия, арсенидов галлия и индия рассмотрен возможный механизм формирования, состав и строение поверхностного фазового слоя и приповерхностного (переходного) кристаллического слоя полупроводниковых соединений с нарушенной структурой в условиях химической обработки. Исходя из предположения о максимально допустимом отклонении от стехиометрического соотношения компонентов в пределах области гомогенности соединений и диффузионных представлений, проведена оценка возможной толщины приповерхностного кристаллического слоя. Методом рентгеноструктурной дифракции осуществлена экспериментальная проверка теоретических представлений. Доп.точки доступа: Мокроусов, Г. М.; Найден, Е. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |