Структура пленок Si/Al2O2 и пути улучшения их качества [Текст] / С. А. Денисов [и др. ] // Вестник Мордовского госуниверситета. - 2007. - N 3. - С. 79-83 : Рис., таблицы. - Библиогр.: c. 83 (7 назв. ) . - ISSN 0236-2007
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремний -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- пленки кремния -- сапфировые подложки -- слои кремния -- температуры роста -- эпитаксиальные слои Аннотация: Целью представленной работы явилось исследование зависимости структурного совершенства слоев кремния на сапфире от температуры роста методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии, а также поиск путей для улучшения структурного совершенства слоев кремния и сглаживания их поверхности. Доп.точки доступа: Денисов, С. А.; Шенгуров, В. Г.; Светлов, С. П.; Чалков, В. Ю. |