Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком [Текст] / В. И. Олешко [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 1. - С. 55-58 : рис. - Библиогр.: c. 58 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Техника Сопротивление материалов Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): вынужденное излучение -- люминесценция тонкопленочных светодиодных структур -- нитрид галлия -- пленки GaAs -- светодиодные гетероструктуры -- сильноточные электронные пучки -- тонкопленочные светодиодные структуры Аннотация: Изучена возможность применения сильноточных электронных пучков для люминесцентного контроля светодиодных гетероструктур InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки. Показано, что возбуждение образцов электронным пучком со стороны гетероструктуры приводит к интенсивной люминесценции эпитаксиальных слоев GaN и InGaN, характеристики которой определяются предысторией образцов. Обнаружено вынужденное излучение, возникающее в отдельных светодиодных структурах при достижении плотности энергии электронного пучка порогового значения. Переход в режим вынужденного излучения в InGaN-квантовых ямах сопровождается появлением светящегося «гало» вокруг зоны возбуждения. Доп.точки доступа: Олешко, В. И.; Горина, С. Г.; Корепанов, В. И.; Лисицын, В. М.; Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |