Прототип нового материала для элементов памяти [Текст] // Бюллетень Высшей аттестационной комиссии Министерства образования и науки Российской Федерации. - 2023. - № 5. - С. 14-15 . - ISSN 0135-888Х
Рубрики: Наука. Науковедение Общие вопросы науки Физика Общие вопросы физики--Россия--Новосибирск Кл.слова (ненормированные): новые материалы -- поликристаллический майенитный материал -- прототипы материалов -- ученые -- элементы памяти Аннотация: Несколько лет назад ученым Института катализа СО РАН удалось получить воспроизводимую поликристаллическую форму материала, а затем к исследованию ее свойств применительно к использованию в производстве микроэлектроники подключились их коллеги из ЦКП "ВТАН" НГУ. Совместно им удалось продемонстрировать стабильные переключения между проводящим и непроводящим состоянием слоя поликристаллического майенитного материала свыше 1000 циклов в лабораторном прототипе мемристора и понять механизм переключения, используя который можно повысить требуемые характеристики элемента памяти. Доп.точки доступа: Институт катализа СО РАН; ЦКП "ВТАН" НГУ; Центр коллективного пользования научным оборудованием "Высокие технологии и аналитика наносистем" НГУ; НГУ \цкп втан\; Новосибирский государственный университет Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |