Дипольные антенны на основе Si-GaAs:Cr для генерации и детектирования терагерцового излучения [Текст] / С. Ю. Саркисов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - С. 31-39 : рис. - Библиогр.: c. 38-39 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): генерация терагерцового излучения -- детектирование терагерцового излучения -- дипольные антенны -- полуизолирующий арсенид галлия -- терагерцовое излучение Аннотация: Разработаны конструкция и технология изготовления дипольных излучателей и приемников терагерцового излучения на основе полуизолирующего GaAs, компенсированного хромом, со временем жизни неравновесных носителей заряда порядка 100 пс. Экспериментально исследованы генерация и детектирование субтерагерцового излучения в изготовленных дипольных антеннах при возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами в зависимости от топологии контактов и параметров активной среды. Доп.точки доступа: Саркисов, С. Ю.; Сафиуллин, Ф. Д.; Скакунов, М. С.; Толбанов, О. П.; Тяжев, А. В.; Назаров, М. М.; Шкуринов, А. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |