Действие низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур кадмий - ртуть - теллур p-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / Д. Ю. Протасов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 3. - С. 69-74 : рис. - Библиогр.: c. 73-74 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры кадмий - ртуть - теллур -- кадмий - ртуть - теллур -- низкотемпературные отжиги -- оже-спектроскопия -- фотодиоды Аннотация: Отжиг образцов КРТ p-типа при температурах 90-120 °С приводит к резкому (на два-три порядка) увеличению концентрации дырок. Если перед отжигом поверхность образцов не была защищена фоторезистором, они имели контакт с водными растворами и во время отжига были закреплены с помощью индия, имеющего омический контакт с КРТ. Наличие индия на поверхности образцов приводит к появлению градиента элементов Hg и Cd в приповерхностной области при отжигах. Оже-спектроскопия не обнаруживает появление в таких образцах химических элементов, которые обычно являются акцепторами в КРТ. Акцептором, который приводит к возрастанию концентрации дырок, может являться водород. Доп.точки доступа: Протасов, Д. Ю.; Новоселов, А. Р.; Комбаров, Д. В.; Костюченко, В. Я.; Долбак, А. Е.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |