Научная библиотека СГЮА

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

Книги фонда НБ СГЮА

Дипломные работы выпускников СГЮА за последние 5 лет

Авторефераты

Диссертации

Период.издания науч.абонемента

Редкие книги Научной библиотеки СГЮА

Каталог электронных носителей

Труды ученых СГЮА

Саратовский край

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Прудаев, И. А.$<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Прудаев, И. А.
Ограничение тока в светодиодах на основе нитридов А{3}В{5} при прямом смещении [Текст] / И. А. Прудаев, И. В. Ивонин, О. П. Толбанов // Известия вузов. Физика. - 2011. - С. 66-68. - Библиогр.: c. 68 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

^a621.382

ББК 22.37 + 32.852
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперная характеристика -- контактное сопротивление -- нитрид галлия -- светодиоды
Аннотация: Представлены результаты исследования прямых вольт-амперных характеристик светодиодов на основе InGaN/GaN в статическом и импульсном режимах для плотностей тока до 1000 Л/см{2}. Показано, что прямые вольт-амперные характеристики описываются линейной зависимостью при комнатной температуре, начиная с 5-6 В. Последовательное сопротивление не превышает 1 Ом для площади диодов S ~ 1 мм{2} и определяется удельным контактным сопротивлением. Также показано, что между участками рекомбинационного и омического токов на прямой вольт-амперной характеристике имеет место температурно-зависимый участок.

Доп.точки доступа:
Ивонин, И. В.; Толбанов, О. П.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Фотовольтаический эффект в контакте металл - высокоомный GaAs:Cr [Текст] / Д. Л. Будницкий [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - С. 19-22 : рис. - Библиогр.: c. 22 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a631.3

ББК 40.7
Рубрики: Сельское хозяйство
Механизация и электрификация сельского хозяйства в целом
Кл.слова (ненормированные):
барьерные контакты металлов -- высокоомный GaAs -- контакты металлов -- фотовольтаический эффект
Аннотация: Представлены результаты исследований фотовольтаического эффекта в контактах ряда металлов с высокоомным GaAs: Cr. Высокоомный (ВО) GaAs был получен диффузией хрома в и-GaAs. В качестве металлов использованы V, Cr, Al. Для создания омических контактов применялся In. ФотоЭДС возбуждалась красным светом (hv = 1, 85 эВ), интенсивность возбуждения достигала 1, 5•10{21}см{-2}•с{-1}. Измерения фотоЭДС проведены при наличии несимметричных пар контактов к ВО-GaAs: V-In, Cr-In, Al-In. Показано, что V, Cr, Al образуют в контакте с высокоомным GaAs: Cr барьеры для электронов. Величина фотоЭДС исследованных контактов определяется инверсией типа проводимости приповерхностного слоя GaAs под металлическим контактом. Концентрация дырок в инверсном слое может достигать 10{15}см{-3}. Контакт из индия к высокоомному GaAs: Cr является омическим инжектирующим для электронов контактом с высотой барьера для дырок 0, 9 эВ.

Доп.точки доступа:
Будницкий, Д. Л.; Новиков, В. А.; Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П.; Яскевич, Т. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Хлудков, С. С.
Нитрид галлия в качестве материала для спинтроники [Текст] / С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов // Известия вузов. Физика. - 2012. - С. 44-49 : рис. - Библиогр.: c. 49 (39 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.38

ББК 32.857
Рубрики: Радиоэлектроника
Диэлектрические приборы
Кл.слова (ненормированные):
легирование магнитными примесями -- нитрид галлия -- примеси переходных металлов -- редкоземельные элементы -- ферромагнитные свойства
Аннотация: Приведен обзор литературы по магнитным свойствам GaN, легированного магнитными примесями: переходными металлами (Mn, Cr, Fe, Ni, V) и редкоземельными элементами (Gd, Eu, Sm), а также нитрида галлия, содержащего большую концентрацию вакансий галлия и квантовые точки. Рассмотрены свойства GaN, легированного в процессе роста слоев методом молекулярно-лучевой и мосгидридной эпитаксии, а также в процессе ионного легирования. Пленки GaN, легированные переходными металлами и редкоземельными элементами, а также нелегированный GaN, часто сохраняют ферромагнитные свойства при комнатной температуре.

Доп.точки доступа:
Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком [Текст] / В. И. Олешко [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 1. - С. 55-58 : рис. - Библиогр.: c. 58 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.3/.6

^a535.37

ББК 30.121 + 22.345
Рубрики: Техника
   Сопротивление материалов
   Физика
   Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
вынужденное излучение -- люминесценция тонкопленочных светодиодных структур -- нитрид галлия -- пленки GaAs -- светодиодные гетероструктуры -- сильноточные электронные пучки -- тонкопленочные светодиодные структуры
Аннотация: Изучена возможность применения сильноточных электронных пучков для люминесцентного контроля светодиодных гетероструктур InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки. Показано, что возбуждение образцов электронным пучком со стороны гетероструктуры приводит к интенсивной люминесценции эпитаксиальных слоев GaN и InGaN, характеристики которой определяются предысторией образцов. Обнаружено вынужденное излучение, возникающее в отдельных светодиодных структурах при достижении плотности энергии электронного пучка порогового значения. Переход в режим вынужденного излучения в InGaN-квантовых ямах сопровождается появлением светящегося «гало» вокруг зоны возбуждения.

Доп.точки доступа:
Олешко, В. И.; Горина, С. Г.; Корепанов, В. И.; Лисицын, В. М.; Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)