Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=высокоомный GaAs<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


   
    Фотовольтаический эффект в контакте металл - высокоомный GaAs:Cr [Текст] / Д. Л. Будницкий [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - С. 19-22 : рис. - Библиогр.: c. 22 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 40.7
Рубрики: Сельское хозяйство
   Механизация и электрификация сельского хозяйства в целом

Кл.слова (ненормированные):
барьерные контакты металлов -- высокоомный GaAs -- контакты металлов -- фотовольтаический эффект
Аннотация: Представлены результаты исследований фотовольтаического эффекта в контактах ряда металлов с высокоомным GaAs: Cr. Высокоомный (ВО) GaAs был получен диффузией хрома в и-GaAs. В качестве металлов использованы V, Cr, Al. Для создания омических контактов применялся In. ФотоЭДС возбуждалась красным светом (hv = 1, 85 эВ), интенсивность возбуждения достигала 1, 5•10{21}см{-2}•с{-1}. Измерения фотоЭДС проведены при наличии несимметричных пар контактов к ВО-GaAs: V-In, Cr-In, Al-In. Показано, что V, Cr, Al образуют в контакте с высокоомным GaAs: Cr барьеры для электронов. Величина фотоЭДС исследованных контактов определяется инверсией типа проводимости приповерхностного слоя GaAs под металлическим контактом. Концентрация дырок в инверсном слое может достигать 10{15}см{-3}. Контакт из индия к высокоомному GaAs: Cr является омическим инжектирующим для электронов контактом с высотой барьера для дырок 0, 9 эВ.


Доп.точки доступа:
Будницкий, Д. Л.; Новиков, В. А.; Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П.; Яскевич, Т. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)