Научная библиотека СГЮА

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

Книги фонда НБ СГЮА

Дипломные работы выпускников СГЮА за последние 5 лет

Авторефераты

Диссертации

Период.издания науч.абонемента

Редкие книги Научной библиотеки СГЮА

Каталог электронных носителей

Труды ученых СГЮА

Саратовский край

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Комов, А. Н.$<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Комов, А. Н.
ТермоЭДС в гетероструктурах карбида кремния на кремниевой подложке в области сверхвысоких частот [Текст] / А. Н. Комов [и др. ] // Вестник Самарского государственного университета. Естественнонаучная серия. - 2004. - Второй спец. вып. - С. . 65-84. - Библиогр.: с. 93. - s, 2004, , rus. - RUMARS-vssu04_000_000_0065_2. - Научная библиотека Самарского государственного университета. - Естественнонаучная серия, Второй спец. вып. - С. 65-84. - vssu04_000_000_0065_2, 0, 65-84

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
термоЭДС -- Холла эффект -- эффект Холла -- полупроводники -- термоэлектрические силы -- карбид кремния
Аннотация: В данной работе проводится анализ одного из паразитных эффектов, влияющего на выходной сигнал полупроводникового преобразователя Холла, - явление термоЭДС. Преобразователь Холла представляет собой тонкопленочный элемент из карбида кремния на подложке. Проводится эксперимент по изучению характеристик датчика Холла на основе гетероструктуры SiC/Si в поле электромагнитной волны частотой 40 Ггц. Приводятся результат измерений и их анализ. Показано, что термоЭДС не влияет на результат измерений, ее величина не превышает ошибки измерений и составляет 10%. Разработанная конструкция датчика СВЧ-мощности, состоящего из преобразователя Холла и волноводной головки, позволяет исключить влияние выпрямления на контактах "металл-полупроводник". Полученные результаты могут быть полезны при изучении свойств гетероструктур SiC/Si в области сверхвысоких частот, а также для разработчиков СВЧ измерительной техники.

Доп.точки доступа:
Чепурнов, В. И.; Трещев, В. М.; Яровой, Г. П.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Колесникова, А. А.
Использование методов TLM для оценки сопротивления омических контактов [Текст] / А. А. Колесникова, А. Н. Комов // Вестник Самарского государственного университета. - 2006. - N 2. - С. . 155-160. - Библиогр.: с. 159. - s, 2006, , rus. - RUMARS-vssu06_000_002_0155_1. - Научная библиотека Самарского государственного университета. - Естественнонаучная серия, N 2. - С. 155-160. - vssu06_000_002_0155_1, 2, 155-160

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
омические контакты -- полупроводниковые приборы -- TLM-метод -- метод TLM
Аннотация: Предложена разновидность конфигурации контактных площадок с радиальной геометрией, имеющая ряд преимуществ при определении переходного сопротивления омических контактов, изготовленных к слоям полупроводника с высокой проводимостью. Рассмотрены различные варианты ее применения в методе TLM. Полученные результаты использованы при исследовании удельного сопротивления омических контактов, изготовленных на основе никеля к эпитаксиальным пленкам SiC/Si с электронной проводимостью, полученным химическим газотранспортным методом в открытой трубе с использованием кристаллических кремния и углерода.

Доп.точки доступа:
Комов, А. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)