Научная библиотека СГЮА

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

Книги фонда НБ СГЮА

Дипломные работы выпускников СГЮА за последние 5 лет

Авторефераты

Диссертации

Период.издания науч.абонемента

Редкие книги Научной библиотеки СГЮА

Каталог электронных носителей

Труды ученых СГЮА

Саратовский край

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Дворецкий, С. $<.>)

Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9

Войцеховский, А. В.
Динамика накопления электрически активных радиационных дефектов при имплантации варизонных эпитаксиальных пленок МЛЭ КРТ [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2006. - N 9. - С. . 25-28. - Библиогр.: с. 25-28 (7 назв. ). - RUMARS-izph06_000_009_0025_1

УДК

^a621.315.592

ББК 31.15
Рубрики: Энергетика--Энергетические ресурсы
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные пленки -- радиационные дефекты -- динамика накопления -- ионное легирование -- накопление радиационных дефектов -- имплантация эпитаксиальных пленок
Аннотация: Проведено исследование динамики накопления электрически активных радиационных дефектов при ионном легировании эпитаксиальных пленок Cd[x]Hg[1-x]Te с различным распределеним состава материала в области внедрения имплантанта. Образцы эпитаксиальных пленок облучались ионами бора при комнатной температуре в непрерывном режиме в диапазоне доз 10{11} - 3*10{15} см{-2}, энергий 20-150 кэВ, плотности тока ионов = 0, 001-0, 2мкА*см{-2}. Обнаружено, что натуральный логарифм скорости введения электрически активных радиационных дефектов линейным образом зависит от состава материала эпитаксиальной пленки в области среднего проецированного пробега имплантируемых ионов. Анализ полученных экспериментальных данных показывает, что динамика накопления электрически активных радиационных дефектов определяется составом материала эпитаксиальной пленки в области внедрения имплантируемых ионов.

Доп.точки доступа:
Коротаев, А. Г.; Коханенко, А. П.; Григорьев, Д. В.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Сидоров, Ю. Г.; Михайлов, Н. Н.; Талипов, Н. Х.

Найти похожие

Дворецкий, С. (проф.).
SADT - методология моделирования процесса подготовки студентов [Текст] / С. Дворецкий, Е. Муратова, И. Федоров // Высшее образование в России. - 2007. - N 5. - С. . 67-74. - Библиогр.: с. 74 (3 назв. ). - RUMARS-vobr07_000_005_0067_1

УДК

^a378

ББК 74.58
Рубрики: Образование. Педагогика--Высшее профессиональное образование, 21 в. нач.
Россия
Кл.слова (ненормированные):
высшие учебные заведения -- инновационная деятельность -- подготовка студентов -- моделирование процесса подготовки -- модели подготовки бакалавров -- подготовка бакалавров -- модели подготовки магистров -- подготовка магистров -- системы моделирования -- SADT-методология -- Structured Analysis and Design Technique -- IDEFO-модели -- IDEFO-диаграммы
Аннотация: Об использовании SADT-методологии при моделировании процесса подготовки студентов к инновационной деятельности.

Доп.точки доступа:
Муратова, Е. (доц.); Федоров, И. (проф.)

Найти похожие

Мищенко, С. (проф.; ректор).
ГИНОС [Текст] : управление подготовкой преподавателя технического вуза / С. Мищенко, С. Дворецкий, В. Таров // Высшее образование в России. - 2008. - N 5. - С. 42-48. - Библиогр.: с. 48 (2 назв. ) . - ISSN 0869-3617

УДК

^a378

ББК 74.58
Рубрики: Образование. Педагогика
Высшее профессиональное образование--Россия--Тамбов--Черноголовка, 21 в. нач.
Кл.слова (ненормированные):
вузы -- высшие учебные заведения -- технические вузы -- гибкая интегрированная научно-образовательная система -- ГИНОС -- управление подготовкой преподавателей -- подготовка преподавателей -- повышение квалификации
Аннотация: Представлен опыт работы Тамбовского государственного технического университета по подготовке преподавателей в условиях гибкой интегрированной научно-образовательная системы.

Доп.точки доступа:
Дворецкий, С. (проф.); Таров, В. (доц.; декан); Тамбовский государственный технический университет; ТГТУТГТУ - ОАО "Корпорация "Росхимзащита"; ТГТУ - Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения РАН (ИСМАН), г. Черноголовка

Найти похожие

Дворецкий, С.
"Когда в пути застанет вас рассвет... " [Текст] : [стихотворение] / Сергей Дворецкий // Молодая гвардия. - 2010. - N 4. - С. 177-178 . - ISSN 0131-2251

УДК

^a821.161.1"1992/..."

ББК 84(2Рос=Рус)6
Рубрики: Художественная литература
Современная русская литература (произведения)
Кл.слова (ненормированные):
поэзия -- стихи -- стихотворения

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Дворецкий, С.
Божья кара [Текст] : рассказ / Сергей Дворецкий // Молодая гвардия. - 2010. - N 7/8. - С. 239-245 . - ISSN 0131-2251

УДК

^a821.161.1"1992/..."

ББК 84(2Рос=Рус)6
Рубрики: Художественная литература
Современная русская литература (произведения)
Кл.слова (ненормированные):
проза -- рассказы -- художественные произведения

Нет сведений об экземплярах (Нет сведений об источнике)

Найти похожие

Дворецкий, Сергей (музыкант).
Сергей Дворецкий: Музыка универсальна [Текст] / беседовала Ольга Быстрых // Студенческий меридиан. - 2011. - N 4. - С. 70-71 : фот. . - ISSN 0321-3803

УДК

^a782/785

ББК 85.318.5
Рубрики: Музыка и зрелищные искусства
Легкая музыка
Кл.слова (ненормированные):
интервью -- музыка -- рок-музыка -- музыканты -- рок-музыканты -- рок-группы
Аннотация: Интервью с вокалистом рок-группы "The СкаZки" Сергеем Дворецким.

Доп.точки доступа:
Быстрых, Ольга \.\; Дворецкий, С. (музыкант); "The СкаZки", рок-группа; Рок-группа "The СкаZки"
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе Cd_xHg_1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - С. 50-55 : рис. - Библиогр.: c. 55 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
КРТ МЛЭ -- гетероэпитаксиальные структуры -- зонная диаграмма -- квантовая яма -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наногетероструктуры -- полупроводниковые структуры -- фотолюминесценция структур
Аннотация: Представлена теоретическая модель описания зонной диаграммы и спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных (ГЭС) структур на основе Cd_xHg_1-xTe (КРТ) с потенциальными и квантовыми ямами (КЯ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Особенностью представленной модели является то, что в ней учтена зависимость электронного сродства от состава КРТ и температуры, а также композиционные зависимости концентраций электронов в собственном и дырок в вакансионно-легированном КРТ. Проведены расчёты и сравнение с экспериментальными данными спектров фотолюминесценции различных структур с КЯ, описанных в литературных источниках.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Горн, Д. И.; Ижнин, И. И.; Ижнин, А. И.; Гольдин, В. Д.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.; Сидоров, Ю. Г.; Якушев, М. В.; Варавин, В. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0,21-0,23) [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - С. 56-62 : рис. - Библиогр.: c. 62 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.3

ББК 31.264-04
Рубрики: Энергетика
Детали и узлы электрических аппаратов
Кл.слова (ненормированные):
МДП-структура -- металл-диэлектрик-полупроводник -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- теллурид кадмия ртути -- фотоэдс -- фотоэлектрические свойства МДП-структур
Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости фотоЭДС МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) от напряжения смещения, частоты и температуры. Рассчитаны фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе эпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23), в том числе с учетом наличия приповерхностных варизонных слоев с повышенным составом CdTe при различных температурах. Проведено сравнение расчетных зависимостей с экспериментальными данными и показано, что дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) без варизонного слоя ограничено туннелированием через глубокие уровни, а для структур с варизонным слоем - диффузией носителей заряда.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Васильев, В. В.; Варавин В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Якушев, М. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Действие низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур кадмий - ртуть - теллур p-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / Д. Ю. Протасов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 3. - С. 69-74 : рис. - Библиогр.: c. 73-74 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a53.07

ББК 22.3с
Рубрики: Физика
Физические приборы и методы физического эксперимента
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры кадмий - ртуть - теллур -- кадмий - ртуть - теллур -- низкотемпературные отжиги -- оже-спектроскопия -- фотодиоды
Аннотация: Отжиг образцов КРТ p-типа при температурах 90-120 °С приводит к резкому (на два-три порядка) увеличению концентрации дырок. Если перед отжигом поверхность образцов не была защищена фоторезистором, они имели контакт с водными растворами и во время отжига были закреплены с помощью индия, имеющего омический контакт с КРТ. Наличие индия на поверхности образцов приводит к появлению градиента элементов Hg и Cd в приповерхностной области при отжигах. Оже-спектроскопия не обнаруживает появление в таких образцах химических элементов, которые обычно являются акцепторами в КРТ. Акцептором, который приводит к возрастанию концентрации дырок, может являться водород.

Доп.точки доступа:
Протасов, Д. Ю.; Новоселов, А. Р.; Комбаров, Д. В.; Костюченко, В. Я.; Долбак, А. Е.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)