Научная библиотека СГЮА

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

Книги фонда НБ СГЮА

Дипломные работы выпускников СГЮА за последние 5 лет

Авторефераты

Диссертации

Период.издания науч.абонемента

Редкие книги Научной библиотеки СГЮА

Каталог электронных носителей

Труды ученых СГЮА

Саратовский край

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Войцеховский, А. В.$<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Войцеховский, А. В.
Динамика накопления электрически активных радиационных дефектов при имплантации варизонных эпитаксиальных пленок МЛЭ КРТ [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2006. - N 9. - С. . 25-28. - Библиогр.: с. 25-28 (7 назв. ). - RUMARS-izph06_000_009_0025_1

УДК

^a621.315.592

ББК 31.15
Рубрики: Энергетика--Энергетические ресурсы
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные пленки -- радиационные дефекты -- динамика накопления -- ионное легирование -- накопление радиационных дефектов -- имплантация эпитаксиальных пленок
Аннотация: Проведено исследование динамики накопления электрически активных радиационных дефектов при ионном легировании эпитаксиальных пленок Cd[x]Hg[1-x]Te с различным распределеним состава материала в области внедрения имплантанта. Образцы эпитаксиальных пленок облучались ионами бора при комнатной температуре в непрерывном режиме в диапазоне доз 10{11} - 3*10{15} см{-2}, энергий 20-150 кэВ, плотности тока ионов = 0, 001-0, 2мкА*см{-2}. Обнаружено, что натуральный логарифм скорости введения электрически активных радиационных дефектов линейным образом зависит от состава материала эпитаксиальной пленки в области среднего проецированного пробега имплантируемых ионов. Анализ полученных экспериментальных данных показывает, что динамика накопления электрически активных радиационных дефектов определяется составом материала эпитаксиальной пленки в области внедрения имплантируемых ионов.

Доп.точки доступа:
Коротаев, А. Г.; Коханенко, А. П.; Григорьев, Д. В.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Сидоров, Ю. Г.; Михайлов, Н. Н.; Талипов, Н. Х.

Найти похожие

Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе Cd_xHg_1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - С. 50-55 : рис. - Библиогр.: c. 55 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
КРТ МЛЭ -- гетероэпитаксиальные структуры -- зонная диаграмма -- квантовая яма -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наногетероструктуры -- полупроводниковые структуры -- фотолюминесценция структур
Аннотация: Представлена теоретическая модель описания зонной диаграммы и спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных (ГЭС) структур на основе Cd_xHg_1-xTe (КРТ) с потенциальными и квантовыми ямами (КЯ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Особенностью представленной модели является то, что в ней учтена зависимость электронного сродства от состава КРТ и температуры, а также композиционные зависимости концентраций электронов в собственном и дырок в вакансионно-легированном КРТ. Проведены расчёты и сравнение с экспериментальными данными спектров фотолюминесценции различных структур с КЯ, описанных в литературных источниках.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Горн, Д. И.; Ижнин, И. И.; Ижнин, А. И.; Гольдин, В. Д.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.; Сидоров, Ю. Г.; Якушев, М. В.; Варавин, В. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0,21-0,23) [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - С. 56-62 : рис. - Библиогр.: c. 62 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.3

ББК 31.264-04
Рубрики: Энергетика
Детали и узлы электрических аппаратов
Кл.слова (ненормированные):
МДП-структура -- металл-диэлектрик-полупроводник -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- теллурид кадмия ртути -- фотоэдс -- фотоэлектрические свойства МДП-структур
Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости фотоЭДС МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) от напряжения смещения, частоты и температуры. Рассчитаны фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе эпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23), в том числе с учетом наличия приповерхностных варизонных слоев с повышенным составом CdTe при различных температурах. Проведено сравнение расчетных зависимостей с экспериментальными данными и показано, что дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) без варизонного слоя ограничено туннелированием через глубокие уровни, а для структур с варизонным слоем - диффузией носителей заряда.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Васильев, В. В.; Варавин В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Якушев, М. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Войцеховский, А. В.
Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях Cd_xHg_1-xTe [Текст] / А. В. Войцеховский, М. С. Никитин, Н. Х. Талипов // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 5. - С. 104-109. - Библиогр.: c. 109 (13 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.2/.3

ББК 31.232.3
Рубрики: Энергетика
Кабельные изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксиальные слои -- ионная имплантация -- фотодиоды
Аннотация: Представлены результаты измерений темновых ВАХ планарных диодов с разной площадью, изготовленных на основе гетероэпитаксиальных слоев МЛЭ КРТ p-типа при различных режимах ионной имплантации бора. Показано, что диоды с n{+}/n{-}/р-переходом обладают гораздо меньшими темновыми токами и более высоким дифференциальным сопротивлением R_d по сравнению с резкими n{+}-р-переходами. Экспериментально установлено, что для n-р-переходов с разной площадью вместо параметра R_dA более корректным является параметр R_dA+_эфф, где A_эфф - эффективная площадь сбора неосновных носителей заряда.

Доп.точки доступа:
Никитин, М. С.; Талипов, Н. Х.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)