Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=фотоэдс<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


   
    Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0,21-0,23) [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - С. 56-62 : рис. - Библиогр.: c. 62 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 31.264-04
Рубрики: Энергетика
   Детали и узлы электрических аппаратов

Кл.слова (ненормированные):
МДП-структура -- металл-диэлектрик-полупроводник -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- теллурид кадмия ртути -- фотоэдс -- фотоэлектрические свойства МДП-структур
Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости фотоЭДС МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) от напряжения смещения, частоты и температуры. Рассчитаны фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе эпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23), в том числе с учетом наличия приповерхностных варизонных слоев с повышенным составом CdTe при различных температурах. Проведено сравнение расчетных зависимостей с экспериментальными данными и показано, что дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) без варизонного слоя ограничено туннелированием через глубокие уровни, а для структур с варизонным слоем - диффузией носителей заряда.


Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Васильев, В. В.; Варавин В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Якушев, М. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)