Научная библиотека СГЮА

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

Книги фонда НБ СГЮА

Дипломные работы выпускников СГЮА за последние 5 лет

Авторефераты

Диссертации

Период.издания науч.абонемента

Редкие книги Научной библиотеки СГЮА

Каталог электронных носителей

Труды ученых СГЮА

Саратовский край

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=топологические размеры<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Трубочкина, Надежда Константиновна (д-р техн. наук ; проф.).
Моделирование внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм и электрическим воздействием на электроды [Текст] = Internal and Surface p-n Junctions Simulation With a Minimum 20 nm Topological Size and Electrical Effect on Electrodes / Н. К. Трубочкина // Качество. Инновации. Образование. - 2010. - N 5. - С. 46-56 : 11 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 53, 56 (15 назв. ). - Продолж. следует

УДК

^a004.27

ББК 32.973-02
Рубрики: Вычислительная техника
Перспективные архитектуры
Кл.слова (ненормированные):
топологические размеры -- электроды -- анализ -- моделирование p-n переходов -- внутренние p-n переходы -- поверхностные p-n переходы -- p-n переходы -- 3D-моделирование -- 2D-моделирование -- уравнение Пуассона -- Пуассона уравнение -- транспортные уравнения -- нанотехнологии
Аннотация: Приводятся результаты и качественный анализ 2D и 3D моделирования внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм с электрическим воздействием на электроды.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Трубочкина, Надежда Константиновна (д-р техн. наук ; проф.).
Моделирование внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм и электрическим воздействием на электроды [Текст] = Internal and Surface p-n Junctions Simulation With a Minimum 20 nm Topological Size and Electrical Effect on Eltctrodes / Н. К. Трубочкина // Качество. Инновации. Образование. - 2010. - N 6. - С. 55-63 : 5 табл. - Библиогр.: с. 63 (15 назв. ). - Продолж. Начало: N 5

УДК

^a004.2

ББК 32.973-02
Рубрики: Вычислительная техника
Архитектура вычислительных машин в целом
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- p-n переходы -- электрическое воздействие -- моделирование 3D структуры -- 2D-моделирование -- 3D-моделирование -- топологические размеры
Аннотация: Приводятся результаты и качественный анализ 2D и 3D моделирования внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм с электрическим воздействием на электроды. Промоделированы 17 основных параметров наноструктур в 2D и 3D реализациях.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Трубочкина, Надежда Константиновна (д-р техн. наук ; проф.).
Моделирование внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм и электрическим воздействием на электроды [Текст] = Internal and Surface p-n Junctions Simulation With a Minimum 20 nm Topological Size and Electrical Effect on Eltctrodes / Н. К. Трубочкина // Качество. Инновации. Образование. - 2010. - N 6. - С. 55-63 : 5 табл. - Библиогр.: с. 63 (15 назв. ). - Продолж. Начало: N 5

УДК

Тематический навигатор

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)