Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=полупроводниковые наноструктуры<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.


    Трубочкина, Надежда Константиновна (д-р техн. наук ; проф.).
    Качественно новая слоистая наноструктура ячейки памяти для суперкомпьютеров [Текст] = Qualitatively New Layered Memory Cell Nanostructure for Supercomputers / Н. К. Трубочкина, И. П. Попович, П. В. Орлов // Качество. Инновации. Образование. - 2010. - N 10. - С. 52-55 : 4 рис. - Библиогр.: с. 55 (8 назв. )
УДК
ББК 32.973
Рубрики: Вычислительная техника
   Виды компьютеров

Кл.слова (ненормированные):
суперкомпьютеры -- ячейки памяти -- слоистые наноструктуры -- полупроводниковые наноструктуры -- переходная схемотехника -- наноструктуры -- полупроводниковые слоистые наноструктуры
Аннотация: Авторами представлена качественно новая 4-слойная полупроводниковая наноструктура запоминающей ячейки в переходной схемотехнике. Структура обладает качественно лучшими параметрами в сравнении с транзисторным аналогом, как в микро, так и в нанодиапазоне.


Доп.точки доступа:
Попович, И. П.; Орлов, П. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

2.


    Трубочкина, Надежда Константиновна (д-р техн. наук ; проф.).
    Качественно новая слоистая наноструктура ячейки памяти для суперкомпьютеров [Текст] = Qualitatively New Layered Memory Cell Nanostructure for Supercomputers / Н. К. Трубочкина, И. П. Попович, П. В. Орлов // Качество. Инновации. Образование. - 2010. - N 10. - С. 52-55 : 4 рис. - Библиогр.: с. 55 (8 назв. )
УДК
ББК 32.973
Рубрики: Вычислительная техника
   Виды компьютеров

Кл.слова (ненормированные):
суперкомпьютеры -- ячейки памяти -- слоистые наноструктуры -- полупроводниковые наноструктуры -- переходная схемотехника -- наноструктуры -- полупроводниковые слоистые наноструктуры
Аннотация: Авторами представлена качественно новая 4-слойная полупроводниковая наноструктура запоминающей ячейки в переходной схемотехнике. Структура обладает качественно лучшими параметрами в сравнении с транзисторным аналогом, как в микро, так и в нанодиапазоне.


Доп.точки доступа:
Попович, И. П.; Орлов, П. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

3.


    Неизвестный, Игорь Георгиевич (член-корреспондент РАН).
    На заре полупроводниковой эры. К 100-летию со дня рождения академика А. В. Ржанова [Текст] / И. Г. Неизвестный, А. Л. Асеев, А. В. Латышев // Вестник Российской академии наук. - 2020. - Т. 90, № 7. - С. 688-694 : 5 фот. - Библиогр. в конце ст. (5 назв.) . - ISSN 0869-5873
УДК
ББК 72.3
Рубрики: Наука. Науковедение
   История науки--СССР--Россия--Москва; Новосибирск

Кл.слова (ненормированные):
академики -- квантовые эффекты -- микроэлектроника -- наноструктуры -- полупроводники -- полупроводниковые наноструктуры -- полупроводниковые транзисторы -- спектроскопия -- транзисторы -- ученые -- физика полупроводников -- электронная микроскопия -- электронные процессы -- эллипсометрия -- юбилеи -- юбиляры
Аннотация: Статья посвящена 100-летию со дня рождения советского и российского ученого, специалиста в области полупроводниковой микроэлектроники и физики поверхности полупроводников Анатолия Васильевича Ржанова.


Доп.точки доступа:
Асеев, Александр Леонидович (академик РАН); Латышев, Александр Васильевич (академик РАН); Ржанов, А. В. (академик АН СССР; член-корреспондент АН СССР ; 1920-2000)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)