Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=люминесценция тонкопленочных светодиодных структур<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


   
    Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком [Текст] / В. И. Олешко [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 1. - С. 55-58 : рис. - Библиогр.: c. 58 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 30.121 + 22.345
Рубрики: Техника
   Сопротивление материалов

   Физика

   Люминесценция

Кл.слова (ненормированные):
вынужденное излучение -- люминесценция тонкопленочных светодиодных структур -- нитрид галлия -- пленки GaAs -- светодиодные гетероструктуры -- сильноточные электронные пучки -- тонкопленочные светодиодные структуры
Аннотация: Изучена возможность применения сильноточных электронных пучков для люминесцентного контроля светодиодных гетероструктур InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки. Показано, что возбуждение образцов электронным пучком со стороны гетероструктуры приводит к интенсивной люминесценции эпитаксиальных слоев GaN и InGaN, характеристики которой определяются предысторией образцов. Обнаружено вынужденное излучение, возникающее в отдельных светодиодных структурах при достижении плотности энергии электронного пучка порогового значения. Переход в режим вынужденного излучения в InGaN-квантовых ямах сопровождается появлением светящегося «гало» вокруг зоны возбуждения.


Доп.точки доступа:
Олешко, В. И.; Горина, С. Г.; Корепанов, В. И.; Лисицын, В. М.; Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)