Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска
Книги фонда НБ СГЮА
Дипломные работы выпускников СГЮА за последние 5 лет
Авторефераты
Диссертации
Период.издания науч.абонемента
Редкие книги Научной библиотеки СГЮА
Каталог электронных носителей
Труды ученых СГЮА
Саратовский край
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=кремниевые пластины<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.


    Казаков, Олег Григорьевич (доцент; кандидат химических наук).
    Исследование механизма образования микротрещин в кристаллах кремния [Текст] = The Study of the Mechanism of Formation of Microcracks in Silicon Crystals / О. Г. Казаков, А. В. Радьков // Качество. Инновации. Образование. - 2020. - № 6. - С. 86-89. - Библиогр.: с. 88-89 (5 назв.) . - ISSN 1999-513Х
УДК
^a669
ББК 34.1
Рубрики: Технология металлов
   Общая технология металлов
Кл.слова (ненормированные):
деформация -- концентрация атомов акцепторной примеси -- концентрация атомов кремния -- кремниевые пластины -- механическая обработка -- механические напряжения -- микротрещины -- подвижность дырок -- полупроводниковые изделия -- прочность кремниевых пластин -- теория механической прочности -- типы микротрещин -- трещины -- электропроводность -- энергия активации примесных уровней
Аннотация: В данной статье представлена теория механической прочности кремниевых пластин. Рассмотрены два типа трещин. Одни образуются в процессе механического нагружения, другие - в процессе механической обработки. Рассмотрено влияние электропроводности на механическую прочность кремниевых пластин.


Доп.точки доступа:
Радьков, Арсений Владимирович (преподаватель)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие
2.


    Казаков, Олег Григорьевич (кандидат химических наук; доцент).
    Исследование механизма влияния концентрации носителей заряда на механическую прочность кремниевых пластин с дырочной проводимостью [Текст] = The Investigation of the Influence`s Mechanism of the Concentration of Charge Carriers on the Mechanical Strength of Silicon Wafers with Hole Conductivity / О. Г. Казаков, А. В. Радьков, Н. О. Радькова // Качество. Инновации. Образование. - 2022. - № 1. - С. 68-72 : рис., табл. - Библиогр.: с. 71 (5 назв.) . - ISSN 1999-513Х
УДК
^a669
^a536.7
ББК 34.1 + 22.317
Рубрики: Технология металлов
   Общая технология металлов
   Физика
   Термодинамика и статистическая физика
Кл.слова (ненормированные):
интенсивность электрических полей -- ковалентная связь -- концентрация дырок -- концентрация носителей заряда -- кремниевые пластины -- механические напряжения -- механическое воздействие -- микротрещины -- осесимметричные изгибы -- энергетическое воздействие -- энергия образования связи
Аннотация: В статье механизм влияния концентрации носителей заряда на механическую прочность кремниевых пластин под механическим воздействием. Рассмотрено влияние величины концентрации дырок на длину микротрещины и механическую прочность кремниевых пластин. При механическом воздействии происходит смещение дефектов структур (дырок) в область более высоких механических напряжений.


Доп.точки доступа:
Радьков, Арсений Владимирович (старший преподаватель); Радькова, Наталья Олеговна (кандидат технических наук; доцент)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)