Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ионная имплантация<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.


    Волобуев, Влас Сергеевич.
    Электрические характеристики пленок полиэтилентерефталата, имплантированных ионами серебра [Текст] / В. С. Волобуев, М. Г. Лукашевич // Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. - 2012. - № 1. - С. 39-43. - Библиогр.: с. 42 (22 назв. ) . - ISSN 0321-0367
УДК
ББК 22.33
Рубрики: Физика
   Электричество и магнетизм в целом

Кл.слова (ненормированные):
электропроводность полимеров -- ионы серебра -- пленки полиэтилентерефталата -- полиэтилентерефталат -- имплантация ионов металлов -- ионная имплантация -- электронно-транспортные свойства -- легированные полупроводники -- металлические наночастицы
Аннотация: Механизмы электронного транспорта в модифицированных пленках и причины, обусловливающие отсутствие перехода диэлектрик - металл.


Доп.точки доступа:
Лукашевич, Михаил Григорьевич (кандидат физико-математических наук)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

2.


   
    Исследование особенности фотоэлектронных спектров поверхности монокристалла молибдена, имплантированных низкоэнергетическими ионами ниобия [Текст] / Нурматов Н. А. [и др.] // Аспирант и соискатель. - 2012. - № 2. - С. 90-93 : 2 рис. - Библиогр.: с. 93 (6 назв. ) . - ISSN 1608-9014
УДК
ББК 22.344
Рубрики: Физика
   Спектроскопия

Кл.слова (ненормированные):
спектроскопические исследования -- монокристаллы молибдена -- научные эксперименты -- атомы (физика) -- ионная имплантация -- фотоэлектронная спектроскопия -- опытно-экспериментальные исследования -- экспериментальные исследования
Аннотация: Методами электронной оже-спектроскопии и ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии исследованы распределение фотоэлектронов монокристалла молибдена, имплантированные атомами ниобия.


Доп.точки доступа:
Нурматов, Н. А. (кандидат физико-математических наук; доцент); Эргашов, Е. С. (соискатель); Отамуродов, Г. Р. (соискатель); Талипов, Н. (кандидат физико-математических наук; доцент)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

3.


    Войцеховский, А. В.
    Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях Cd_xHg_1-xTe [Текст] / А. В. Войцеховский, М. С. Никитин, Н. Х. Талипов // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 5. - С. 104-109. - Библиогр.: c. 109 (13 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 31.232.3
Рубрики: Энергетика
   Кабельные изделия

Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксиальные слои -- ионная имплантация -- фотодиоды
Аннотация: Представлены результаты измерений темновых ВАХ планарных диодов с разной площадью, изготовленных на основе гетероэпитаксиальных слоев МЛЭ КРТ p-типа при различных режимах ионной имплантации бора. Показано, что диоды с n{+}/n{-}/р-переходом обладают гораздо меньшими темновыми токами и более высоким дифференциальным сопротивлением R_d по сравнению с резкими n{+}-р-переходами. Экспериментально установлено, что для n-р-переходов с разной площадью вместо параметра R_dA более корректным является параметр R_dA+_эфф, где A_эфф - эффективная площадь сбора неосновных носителей заряда.


Доп.точки доступа:
Никитин, М. С.; Талипов, Н. Х.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)