Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=диоксид гафния<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


    Пахомов, Сергей.
    Второе дыхание 193-нм литографии, или Особенности 32-нм техпроцесса [Текст] / Сергей Пахомов // КомпьютерПресс. - 2009. - N 3. - С. 76-79 : ил. . - ISSN 0868-6157
УДК
ББК 32.97
Рубрики: Вычислительная техника
   Вычислительная техника в целом

Кл.слова (ненормированные):
нанотехнологии -- нанометровые технологии -- 32-нанометровые технологии -- литография -- иммерсионная литография -- DUV-литография -- диоксид кремния -- диоксид гафния
Аннотация: 32-нм технологии, как и последующие за ними 22-нметровые, будут основаны на DUV-литографии на базе 193-нм лазера. Статья расскажет о том, ка это стало возможным.


Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)