Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска
Книги фонда НБ СГЮА
Дипломные работы выпускников СГЮА за последние 5 лет
Авторефераты
Диссертации
Период.издания науч.абонемента
Редкие книги Научной библиотеки СГЮА
Каталог электронных носителей
Труды ученых СГЮА
Саратовский край
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=плазменный резонанс<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


   
    Tamm resonances control in one-dimensional microwave photonic crystal for measuring parametrs of heavily doped semiconductor layers [Text] / A. V. Skripal, D. V. Ponomarev, A. A. Komarov, V. E. Sharonov // Известия Саратовского университета. Новая серия. Сер.: Физика. - 2022. - Вып. 2. - С. 123-130 : рис. - Библиогр.: с. 128-130 (49 назв.). - Библиогр. на рус. и англ. яз.
УДК
^a539.2
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
X-диапозон -- СВЧ фотонные кристаллы -- измерение проводимости -- плазменный резонанс -- сильно легированный проводник
Аннотация: Исследована возможность управления фотонными таммовскими резонансами в одномерном СВЧ фотонном кристалле с диэлектрическим заполнением с помощью изменения толщины слоя фотонного кристалла, граничащего с сильнолегированным слоем полупроводниковой GaAs структуры. Управляемые фотонные таммовские резонансы в микроволновом диапазоне частот использованы для измерения удельной электропроводности сильнолегированных полупроводниковых слоёв. Показано, что для достижения высокой чувствительности таммовского резонанса к изменению удельной электропроводности сильнолегированного слоя, необходима определенная перестройка частоты таммовского резонанса, величина которой определяется величиной удельной электропроводности сильнолегированного слоя. Возможность наблюдения плазменного резонанса в инфракрасном диапазоне позволило определить концентрацию и подвижность свободных носителей заряда в сильнолегированном слое полупроводниковой GaAs структуры.


Доп.точки доступа:
Skripal, A. V. (профессор); Ponomarev, D. V. (доцент); Komarov, A. A. (аспирант); Sharonov, V. E. (магистр)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)