Поисковый запрос: (<.>A=Трубочкина, Надежда Константиновна$<.>) |
Общее количество найденных документов : 12
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1. ![](http://lib.sgap.ru/irbis64r_01/images/printer.jpg)
|
Трубочкина, Надежда Константиновна (д-р техн. наук ; проф.). Переходная 3D наносхемотехника - новая концепция и новое качество в создании трехмерных интегральных схем [Текст] = 3D Junction Circuit Engineering as a new Conceptand new Quality in Creation of the Three-Dimensional Intergrated Circuits / Н. К. Трубочкина> // Качество. Инновации. Образование. - 2009. - N 5. - С. 31-41 : 5 табл., 10 рис. - Библиогр.: с. 40 (19 назв. )
. - ISSN хххх-ххххББК 32.85 + 32.852 Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): микросхемы -- интегральные схемы -- трехмерные интегральные схемы -- наносхемотехника -- схемотехника -- интегральная схемотехника -- переходная схемотехника -- программное обеспечение Аннотация: Автор предлагает концепцию и новый подход к пониманию и освоению свойств трехмерных интегральных схем. Разработан математический аппарат для синтеза математических моделей переходной схемотехники и их визуализации.
Найти похожие
|
2. ![](http://lib.sgap.ru/irbis64r_01/images/printer.jpg)
|
Трубочкина, Надежда Константиновна (д-р техн. наук ; проф.). Моделирование внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм и электрическим воздействием на электроды [Текст] = Internal and Surface p-n Junctions Simulation With a Minimum 20 nm Topological Size and Electrical Effect on Electrodes / Н. К. Трубочкина> // Качество. Инновации. Образование. - 2010. - N 5. - С. 46-56 : 11 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 53, 56 (15 назв. ). - Продолж. следует
ББК 32.973-02 Рубрики: Вычислительная техника Перспективные архитектуры Кл.слова (ненормированные): топологические размеры -- электроды -- анализ -- моделирование p-n переходов -- внутренние p-n переходы -- поверхностные p-n переходы -- p-n переходы -- 3D-моделирование -- 2D-моделирование -- уравнение Пуассона -- Пуассона уравнение -- транспортные уравнения -- нанотехнологии Аннотация: Приводятся результаты и качественный анализ 2D и 3D моделирования внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм с электрическим воздействием на электроды.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
Найти похожие
|
3. ![](http://lib.sgap.ru/irbis64r_01/images/printer.jpg)
|
Трубочкина, Надежда Константиновна (д-р техн. наук ; проф.). Качественно новая четырехслойная И-НЕ для логических схем суперкомпьютеров [Текст] = Qualitatively New 4-Lavers Nanostructure and-not for the Logic Circuits of Supercomputers / Надежда Константиновна Трубочкина, В. В. Воробьев, А. А. Соснин> // Качество. Инновации. Образование. - 2010. - N 9. - С. 52-55 : 4 рис. - Библиогр.: с. 54-55 (30 назв. )
ББК 32.973 + 32.97 Рубрики: Вычислительная техника Виды компьютеров Вычислительная техника в целом Кл.слова (ненормированные): четырехслойная наноструктура -- суперкомпьютеры -- логические схемы -- четырехслойные логические наноструктуры -- логические элементы Аннотация: Рассматривается синтез и моделирование четырехслойной логической наноструктуры, реализующей функцию И-НЕ. Структура обладает качественно лучшими параметрами в сравнении с транзисторным аналогом как в микро, так и нанодиапазоне.
Доп.точки доступа: Воробьев, В. В.; Соснин, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
Найти похожие
|
4. ![](http://lib.sgap.ru/irbis64r_01/images/printer.jpg)
|
Трубочкина, Надежда Константиновна (д-р техн. наук ; проф.). Моделирование внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм и электрическим воздействием на электроды [Текст] = Internal and Surface p-n Junctions Simulation With a Minimum 20 nm Topological Size and Electrical Effect on Eltctrodes / Н. К. Трубочкина> // Качество. Инновации. Образование. - 2010. - N 6. - С. 55-63 : 5 табл. - Библиогр.: с. 63 (15 назв. ). - Продолж. Начало: N 5
ББК 32.973-02 Рубрики: Вычислительная техника Архитектура вычислительных машин в целом Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- p-n переходы -- электрическое воздействие -- моделирование 3D структуры -- 2D-моделирование -- 3D-моделирование -- топологические размеры Аннотация: Приводятся результаты и качественный анализ 2D и 3D моделирования внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм с электрическим воздействием на электроды. Промоделированы 17 основных параметров наноструктур в 2D и 3D реализациях.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
Найти похожие
|
5. ![](http://lib.sgap.ru/irbis64r_01/images/printer.jpg)
|
Трубочкина, Надежда Константиновна (д-р техн. наук ; проф.). Качественно новая слоистая наноструктура ячейки памяти для суперкомпьютеров [Текст] = Qualitatively New Layered Memory Cell Nanostructure for Supercomputers / Н. К. Трубочкина, И. П. Попович, П. В. Орлов> // Качество. Инновации. Образование. - 2010. - N 10. - С. 52-55 : 4 рис. - Библиогр.: с. 55 (8 назв. )
ББК 32.973 Рубрики: Вычислительная техника Виды компьютеров Кл.слова (ненормированные): суперкомпьютеры -- ячейки памяти -- слоистые наноструктуры -- полупроводниковые наноструктуры -- переходная схемотехника -- наноструктуры -- полупроводниковые слоистые наноструктуры Аннотация: Авторами представлена качественно новая 4-слойная полупроводниковая наноструктура запоминающей ячейки в переходной схемотехнике. Структура обладает качественно лучшими параметрами в сравнении с транзисторным аналогом, как в микро, так и в нанодиапазоне.
Доп.точки доступа: Попович, И. П.; Орлов, П. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
Найти похожие
|
6. ![](http://lib.sgap.ru/irbis64r_01/images/printer.jpg)
|
Трубочкина, Надежда Константиновна (д-р техн. наук ; проф.). Моделирование внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм и электрическим воздействием на электроды [Текст] = Internal and Surface p-n Junctions Simulation With a Minimum 20 nm Topological Size and Electrical Effect on Eltctrodes / Н. К. Трубочкина> // Качество. Инновации. Образование. - 2010. - N 6. - С. 55-63 : 5 табл. - Библиогр.: с. 63 (15 назв. ). - Продолж. Начало: N 5
ББК 32.973-02 Рубрики: Вычислительная техника Архитектура вычислительных машин в целом Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- p-n переходы -- электрическое воздействие -- моделирование 3D структуры -- 2D-моделирование -- 3D-моделирование -- топологические размеры Аннотация: Приводятся результаты и качественный анализ 2D и 3D моделирования внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм с электрическим воздействием на электроды. Промоделированы 17 основных параметров наноструктур в 2D и 3D реализациях.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
Найти похожие
|
7. ![](http://lib.sgap.ru/irbis64r_01/images/printer.jpg)
|
Трубочкина, Надежда Константиновна (д-р техн. наук ; проф.). Качественно новая слоистая наноструктура ячейки памяти для суперкомпьютеров [Текст] = Qualitatively New Layered Memory Cell Nanostructure for Supercomputers / Н. К. Трубочкина, И. П. Попович, П. В. Орлов> // Качество. Инновации. Образование. - 2010. - N 10. - С. 52-55 : 4 рис. - Библиогр.: с. 55 (8 назв. )
ББК 32.973 Рубрики: Вычислительная техника Виды компьютеров Кл.слова (ненормированные): суперкомпьютеры -- ячейки памяти -- слоистые наноструктуры -- полупроводниковые наноструктуры -- переходная схемотехника -- наноструктуры -- полупроводниковые слоистые наноструктуры Аннотация: Авторами представлена качественно новая 4-слойная полупроводниковая наноструктура запоминающей ячейки в переходной схемотехнике. Структура обладает качественно лучшими параметрами в сравнении с транзисторным аналогом, как в микро, так и в нанодиапазоне.
Доп.точки доступа: Попович, И. П.; Орлов, П. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
Найти похожие
|
8. ![](http://lib.sgap.ru/irbis64r_01/images/printer.jpg)
|
Трубочкина, Надежда Константиновна (доктор технических наук ; профессор). Разработка и моделирование качественно новой 3D структуры КМОП инвертора с проектной нормой 20 нм - основы новой элементной базы энергосберегающих СБИС [Текст] = Development and Simulation of a New High Quality 3D Smos Inverter Nan0 / Н. К. Трубочкина> // Качество. Инновации. Образование. - 2011. - N 6. - С. 58-63 : 9 рис. - Библиогр.: с. 63 (5 назв. )
ББК 32.97 + 32.973-018.2 Рубрики: Вычислительная техника Вычислительная техника в целом Имитационное компьютерное моделирование Кл.слова (ненормированные): наноэлектроника -- энергосбережение -- схемотехника -- компьютерное моделирование -- моделирование -- энергосберегающие СБИС -- наноструктуры -- 3D наноструктуры -- технологические нормы -- вертикальная интеграция -- инверторы -- КМОП-схемотехника Аннотация: О результатах разработки нового вертикального КМОП инвертора, объединяющего достоинства КМОП-схемотехники и достоинства вертикальной интеграции вычислительных систем.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
Найти похожие
|
9. ![](http://lib.sgap.ru/irbis64r_01/images/printer.jpg)
|
Трубочкина, Надежда Константиновна (доктор технических наук ; профессор). Новая схемотехника с использованием нанопроводов - как возможная элементная база для персональных суперкомпьютеров [Текст] = New Circuitry Using Nanowires - as Possible Element Base for Personal Supercomputer / Н. К. Трубочкина> // Качество. Инновации. Образование. - 2012. - № 4. - С. 73-78 : 19 рис. - Библиогр.: с. 78 (10 назв.)
ББК 32.973 Рубрики: Вычислительная техника Виды компьютеров Кл.слова (ненормированные): схемотехника -- нанопровода -- суперкомпьютеры -- персональные суперкомпьютеры -- проекты -- элементные базы Аннотация: Автор исследует возможность создания и использования новой элементной базы на основе нанопроводов. Описываются известные проекты и предлагается новый подход с возможностью реализации на нанопроводах логических и запоминающих функций.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
Найти похожие
|
10. ![](http://lib.sgap.ru/irbis64r_01/images/printer.jpg)
|
Трубочкина, Надежда Константиновна (доктор технических наук ; профессор). Новый промышленный дизайн и технологии как результат физико-компьютерных фрактальных исследований [Текст] = A New Industrial Design and Technology as a Result of Mathematics-Computer Fractal Research / Н. К. Трубочкина> // Качество. Инновации. Образование. - 2012. - № 5. - С. 76-81 : 8 рис. - Библиогр.: с. 81 (3 назв.)
ББК 32.973-018.2 Рубрики: Вычислительная техника Прикладные информационные (компьютерные) технологии в целом Кл.слова (ненормированные): промышленный дизайн -- дизайн -- архитектурный дизайн -- фрактальный дизайн -- фрактальные исследования -- физико-компьютерные исследования -- математико-компьютерное моделирование -- новые промышленные технологии -- промышленные технологии -- информационные технологии -- фракталы -- алгебраические фракталы -- компьютерные фрактальные исследования -- прикладные информационные технологии -- научно-поисковые исследования -- научные исследования Аннотация: О результатах научно-поисковых исследований и математическо-компьютерного моделирования в области фрактального дизайна. В результате математическо-компьютерных экспериментов предлагаются новые промышленные технологии в текстильной и строительной промышленности, а также в области архитектурного дизайна интерьеров и экстерьеров помещений и зданий.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
Найти похожие
|
|
|