Научная библиотека СГЮА

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

Книги фонда НБ СГЮА

Дипломные работы выпускников СГЮА за последние 5 лет

Авторефераты

Диссертации

Период.издания науч.абонемента

Редкие книги Научной библиотеки СГЮА

Каталог электронных носителей

Труды ученых СГЮА

Саратовский край

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=фононы<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Башкиров, Е. К.
Лазерное охлаждение примесных кристаллов в режиме сверхизлучения [Текст] / Е. К. Башкиров // Вестник Самарского государственного университета. - 2005. - N 3. - С. . 90-109. - Библиогр.: с. 107-108. - s, 2005, , rus. - RUMARS-vssu05_000_003_0090_1. - Научная библиотека Самарского государственного университета. - Естественнонаучная серия, N 3. - С. 90-109. - vssu05_000_003_0090_1, 3, 90-109

УДК

^a535

ББК 22.34
Рубрики: Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
лазеры -- лазерное охлаждение -- кинетические уравнения -- твердые тела -- уравнения -- фононы
Аннотация: На основе метода исключения бозонных переменных исследована кинетика примесного кристалла для антистоксовского механизма лазерного охлаждения с учетом коллективных эффектов в излучении. Получена система кинетических уравнений для примесей и псевдолокализованных фононов. Показано, что коллективные эффекты в излучении приводят к ускорению опустошения фононной моды, и следовательно, к увеличению эффективности охлаждения кристалла.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Лысаков, В. С.
О рассеянии экситонов Френкеля на акустических колебаниях в кристаллическом a - SiO[2] [Текст] / Лысаков В. С. // Вестник Оренбургского государственного университета. - 2006. - Т. 2, N 2. - С. 62-64. - Библиогр.: с. 64 (13 назв. ). - Научная библиотека Государственного образовательного учреждения Высшего профессионального образования Оренбургский Государственный университет. - code, vogu. - year, 2006. - to, 2. - no, 2. - ss, 62. - ad. - d, 2006, ####, 0. - RUMARS-vogu06_to2_no2_ss62_ad1 . - ISSN 1814-6457

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
экситоны Френкеля -- Френкеля экситоны -- кварцы -- искусственные кварцы -- экситоны -- автолокализация экситонов -- акустические фононы
Аннотация: В пьезоэлектрических искусственных кварцах изучено взаимодействие экситонов Френкеля с акустическими фононами, предложены модельные представления рассеяния экситонов. Рассмотрена диффузия свободных и локализованных экситонов, а также их автолокализация.

Найти похожие

Многофононная релаксация переходов среднего ИК-диапазона в кристаллах со структурой флюорита, активированных редкоземельными ионами [Текст] / Ю. В. Орловский [и др. ] // Вестник Мордовского госуниверситета. - 2007. - N 3. - С. 67-79 : Таблицы. - Библиогр.: c. 78-79 (27 назв. ) . - ISSN 0236-2007

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
активирование ионами -- кристаллы -- многофонная релаксация -- редкоземельные ионы -- средний инфракрасный диапазон -- структура флюорита -- фононный спектр -- фононы
Аннотация: Статья содержит описание определения преобладающего механизма релаксации возбужденного электронного уровня. Автор приводит результаты исследования, согласно которому установлено, что в ряду кристаллов со структурой флюорита, активированных P3-ионами, укорочение фононного спектра от фторида кальция до фторидов свинца и бария сопровождается незначительным уменьшением скорости многофонной релаксации на оптических переходах среднего ИК-диапазона. Также экспериментально установлена зависимость скорости многофонной релаксации от расстояния R0 между P3-ионом и ближайшими анионами решетки; показано, что внутри одного кристалла скорости многофонной релаксации для различных безызлучательных переходов с одинаковым числом фононов непосредственно коррелируют с приведенными матричными элементами переходов U (k).

Доп.точки доступа:
Орловский, Ю. В.; Басиев Т. Т.; Пухов, К. К.; Осико, В. В.

Найти похожие

Обухов, С. В.
Расчет ширины спектральной линии прямого экситона в полупроводнике с непрямой запрещенной зоной [Текст] / С. В. Обухов, В. Г. Тютерев // Известия вузов. Физика. - 2011. - С. 109 . - ISSN 0021-3411

УДК

^a537.311.33

^a535.33

ББК 22.379 + 22.344
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Спектроскопия
Кл.слова (ненормированные):
волновые фононы -- непрямая запрещенная зона -- полупроводники -- прямой экситон -- рассеяние электронов -- спектральная линия
Аннотация: На основе метода псевдопотенциала и феноменологической модели сил связи исследовано рассеяние электронов на коротковолновых и длинноволновых фононах в сверхрешетках (GaAs) [m] (AlAs) [n] (001) с ультратонкими слоями (n, m = = 1, 2, 3). Определены деформационные потенциалы для междолинных переходов электронов в зонах проводимости сверхрешеток и твердых растворов соответствующих составов. Показано, что вследствие локализации волновых функций в Г-, L- и X-квантовых ямах междолинные переходы электронов в сверхрешетках в целом интенсивнее аналогичных переходов в твердых растворах. В ряду сверхрешеток с ростом доли легких атомов Аl деформационные потенциалы монотонно увеличиваются для переходов типа Х-Х и уменьшаются для переходов типа L-L, X-L. Потенциалы переходов типа Г-Х и Г-L изменяются от толщины слоев немонотонно за счет выраженных эффектов размерного квантования в глубоких Г-квантовых ямах GaAs. Усредненные по фононам и родственным долинам деформационные потенциалы в сверхрешетках близки к соответствующим потенциалам в твердых растворах. Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ № 080200640-а, Рособразования № 01. 2. 007 01695 и Федерального агентства по науке и инновациям России, контракт № 02. 740. 11. 0238.

Доп.точки доступа:
Тютерев, В. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Кругляк, Ю. А.
Уроки наноэлектроники [Текст]. Ч. 5. Перенос тепла фононами в концепции "снизу-вверх" / Ю. А. Кругляк // Физическое образование в вузах. - 2014. - Т. 20, № 1. - С. 39-43 : ил. - Библиогр.: с. 43 (9 назв.) . - ISSN 1609-3143

УДК

^a539.19

ББК 22.36
Рубрики: Физика
Молекулярная физика в целом
Кл.слова (ненормированные):
концепция снизу-вверх -- молекулярная электроника -- нанофизика -- наноэлектроника -- перенос тепла -- тепло -- теплопроводность -- фононы -- электроника
Аннотация: Рассматриваются баллистический и диффузионный транспорт фононов и его роль в теплопроводности.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)