Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>S=Полупроводниковые приборы<.>)
Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 11
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Сенокосов Э. А., Сорочан В. В.
Заглавие : Координатно-чувствительные фотоприемники на основе полупроводниковых слоев nCdTe: In
Серия: Физические приборы и устройства
Место публикации : Вестник Мордовского госуниверситета. - 2007. - N 3. - С.103-109: Рис. - ISSN 0236-2007. - ISSN 0236-2007
Примечания : Библиогр.: c. 108-109 (11 назв. )
УДК : 621.383 + 621.315.592 + 621.382
ББК : 32.854 + 31.233 + 32.852
Предметные рубрики: Фотоэлектрические приборы
Радиоэлектроника
Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): координатно-чувствительные фотоприемники--оптоэлектронные приборы--позиционно-чуствительные фотоприемники--полупроводниковые слои--сенсорные элементы--фотоприемники
Аннотация: Среди полупроводниковых датчиков особое место занимают позиционные сенсорные элементы, предназначенные для регистрации и преобразования в аналоговый или цифровой электрический сигнал информации о пространственных перемещениях механических и светоизлучающих объектов. Вторым этапом развития подобной техники явилась разработка сенсорных элементов, работа которых основывалась на координатной зависимости внутреннего сопротивления фотоприемников и фотоприемников на основе МОП структур. В статье представлено описание координатно-чувствительных фотоприемников на основе полупроводниковых слоев и их отличительных свойств.
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Трубочкина, Надежда Константиновна (д-р техн. наук ; проф.)
Заглавие : Переходная 3D наносхемотехника - новая концепция и новое качество в создании трехмерных интегральных схем
Параллельн. заглавия :3D Junction Circuit Engineering as a new Conceptand new Quality in Creation of the Three-Dimensional Intergrated Circuits
Серия: Приборы, методы и технологии
Место публикации : Качество. Инновации. Образование. - 2009. - N 5. - С.31-41: 5 табл., 10 рис. - ISSN хххх-хххх. - ISSN хххх-хххх
Примечания : Библиогр.: с. 40 (19 назв. )
УДК : 621.38 + 621.382
ББК : 32.85 + 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микросхемы--интегральные схемы--трехмерные интегральные схемы--наносхемотехника--схемотехника--интегральная схемотехника--переходная схемотехника--программное обеспечение
Аннотация: Автор предлагает концепцию и новый подход к пониманию и освоению свойств трехмерных интегральных схем. Разработан математический аппарат для синтеза математических моделей переходной схемотехники и их визуализации.
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Прудаев И. А., Ивонин И. В., Толбанов О. П.
Заглавие : Ограничение тока в светодиодах на основе нитридов А{3}В{5} при прямом смещении
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2011. - С.66-68. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2011/54/12). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 68 (7 назв. )
УДК : 539.2 + 621.382
ББК : 22.37 + 32.852
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вольт-амперная характеристика--контактное сопротивление--нитрид галлия--светодиоды
Аннотация: Представлены результаты исследования прямых вольт-амперных характеристик светодиодов на основе InGaN/GaN в статическом и импульсном режимах для плотностей тока до 1000 Л/см{2}. Показано, что прямые вольт-амперные характеристики описываются линейной зависимостью при комнатной температуре, начиная с 5-6 В. Последовательное сопротивление не превышает 1 Ом для площади диодов S ~ 1 мм{2} и определяется удельным контактным сопротивлением. Также показано, что между участками рекомбинационного и омического токов на прямой вольт-амперной характеристике имеет место температурно-зависимый участок.
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Петросянц К. О., Харитонов И. А., Кожухов М. В., Самбурский Л. М.
Заглавие : Схемотехнические SPICE-модели биполярных и МОП-транзисторов для автоматизации проектирования радиационно стойких БИС
Серия: Системы автоматизированного проектирования
Место публикации : Информационные технологии. - 2015. - Т. 21, № 12. - С.916-922. - ISSN 1684-6400 (Шифр inft/2015/21/12). - ISSN 1684-6400
Примечания : Библиогр.: с. 922 (27 назв.)
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): spice-модели--моп-транзисторы--сапр--биполярные транзисторы--гетеропереходные биполярные транзисторы--ионизирующее излучение--радиационная стойкость--системы автоматизированного проектирования--схемотехническое моделирование
Аннотация: В работе сделана попытка снять существующие ограничения в части учета радиационных эффектов. Предложен набор компактных схемотехнических моделей биполярных и МОП-транзисторов, учитывающих различные виды радиационных воздействий.
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Белоусов, Александр Владимирович, Кошлич, Юрий Алексеевич, Третьяков, Олег Вячеславович, Стан, Василий Константинович
Заглавие : Технологические аспекты эксплуатации лабораторного комплекса NI Elvis II при изучении электронных приборов и устройств
Серия: Виртуальные технологии
Место публикации : Дистанционное и виртуальное обучение. - 2015. - № 1. - С.42-49: 6 ил. - ISSN 1561-2449 (Шифр divo/2015/1). - ISSN 1561-2449
Примечания : Библиогр.: с. 48 (6 назв. )
УДК : 371.69:004.3 + 621.382
ББК : 74с + 32.852
Предметные рубрики: Образование. Педагогика
Применение вычислительной техники в педагогике
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): labview--лабораторное оборудование--лабораторные комплексы--полупроводниковая электроника--средства обучения--электроника--электроника--электронные приборы
Аннотация: Освещены преимущества и представлены примеры использования лабораторного комплекса NI Elvis II при изучении полупроводниковой электроники.
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Бибило П. Н. (доктор технических наук; профессор), Логинова И. П.
Заглавие : Формирование энергоемких тестов для комбинационных логических схем по результатам оценки их энергопотребления
Серия: Системы автоматизированного проектирования
Место публикации : Информационные технологии. - 2016. - Т. 22, № 4. - С.277-283. - ISSN 1684-6400 (Шифр inft/2016/22/4). - ISSN 1684-6400
Примечания : Библиогр.: с. 283 (9 назв.)
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): комбинационные кмоп-схемы--комбинационные логические схемы--псевдослучайные тестовые векторы--энергоемкие тесты--энергопотребление
Аннотация: Предлагается формализация задачи и алгоритмы нахождения тестовых векторов, которые обеспечивают режим максимального энергопотребления комбинационной логической схемы, синтезированной в базисе проектирования заказной КМОП СБИС. Эксперименты показали, что выбор одной десятой части "энергоемких" наборов для комбинационных схем позволяет примерно на 50 - 70 процентов повысить энергопотребление схем при повторном моделировании на найденных тестах.
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Юсупов Р. М. (доктор технических наук; профессор), Мусаев А. А.
Заглавие : К оцениванию эффективности информационных систем. Методологические аспекты
Параллельн. заглавия :By Estimating the Effectiveness of Information Systems. Methodological Aspects
Серия: Общие вопросы
Разночтения заглавия :: Методологические аспекты
Место публикации : Информационные технологии. - 2017. - Т. 23, № 5. - С.323-332. - ISSN 1684-6400 (Шифр inft/2017/23/5). - ISSN 1684-6400
Примечания : Библиогр.: с. 332 (23 назв.)
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): информационные системы--методология--образовательные системы--системный анализ--системы хранения информации--технологические процессы
Аннотация: Рассмотрена задача построения методологии оценки эффективности информационных систем и технологий, позволяющая количественно оценить результативность их применения.
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Рудометов, Виктор, Рудометов, Евгений
Заглавие : Элементы Пельтье для системы охлажденния чипов
Серия: Технологии
Место публикации : Вы и ваш компьютер. - 2022. - № 12. - С.19-22: 4 фот., 1 таб. (Шифр vyko/2022/12)
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пельтье коэффициенты--пельтье кулеры--пельтье модули--пельтье элементы--аккумуляторные батареи--батареи--генераторы--защиты объектов--коэффициенты пельтье--кулеры пельтье--модули пельтье--полупроводниковые кулеры--полупроводниковые модули--системы охлаждения--термоэлектрические генераторы--термоэлектрические модули--термоэлектрические элементы--элементы пельтье
Аннотация: В компактных системах охлаждения могут применяться термоэлектрические элементы, часто называемые термоэлектрическими модулями или просто модулями Пельтье. Использование таких модулей достаточной мощности в системах охлаждения позволяет поддержать температуру защищаемых объектов ниже температуры окружающей среды.
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Рудометов, Виктор, Рудометов, Евгений
Заглавие : Зарядка аккумуляторной батареи от элементов Пельтье
Серия: Технологии
Место публикации : Вы и ваш компьютер. - 2022. - № 11. - С.19-23: 11 фот., 1 таб. (Шифр vyko/2022/11)
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пельтье коэффициенты--пельтье кулеры--пельтье модули--пельтье элементы--аккумуляторные батареи--батареи--генераторы--защиты объектов--коэффициенты пельтье--кулеры пельтье--модули пельтье--полупроводниковые кулеры--полупроводниковые модули--системы охлаждения--термоэлектрические генераторы--термоэлектрические модули--термоэлектрические элементы--элементы пельтье
Аннотация: В компактных системах охлаждения могут применяться термоэлектрические элементы, часто называемые термоэлектрическими модулями или просто модулями Пельтье. Использование таких модулей достаточной мощности в системах охлаждения позволяет поддержать температуру защищаемых объектов ниже температуры окружающей среды.
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Рудометов, Евгений
Заглавие : Преобразование тепла в электричество
Серия: Технологии
Место публикации : Вы и ваш компьютер. - 2023. - № 9. - С.21-26: 13 фот. (Шифр vyko/2023/9)
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): апполоны--вояджер-1--галилео--кассини-гюйгенс--пельтье модули--пельтье элементы--автомобильная промышленность--генераторы--генераторы тепла--генераторы электрического тока--космические аппараты--космические генераторы--модули пельтье--полупроводниковые кулеры--полупроводниковые материалы--полупроводниковые модули--портативная электроника--применение модулей--применение термоэлектрических генераторов--радиоактивные изотопы--системы охлаждения--солнечные батареи--тепловая энергия--термоэлектрические генераторы--термоэлектрические модели--термоэлектрические модули--термоэлектрические элементы--термоэлектрические эффекты--термоэлектрогенераторы--элементы пельтье
Аннотация: О принципах работы модулей Пельтье, возможность их использования в холодильниках и в термоэлектрических генераторах (термоэлектрогенераторах), осуществляющих прямое преобразование тепловой энергии в энергию электрическую.
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Рудометов, Виктор, Рудометов, Евгений
Заглавие : Элементы Пельтье для системы охлажденния чипов
Серия: Технологии
Место публикации : Вы и ваш компьютер. - 2023. - № 1. - С.21-24: 9 фот. (Шифр vyko/2023/1)
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пельтье коэффициенты--пельтье кулеры--пельтье модули--пельтье элементы--аккумуляторные батареи--батареи--генераторы--защита объектов--коэффициенты пельтье--кулеры пельтье--модули пельтье--полупроводниковые кулеры--полупроводниковые модули--системы охлаждения--термоэлектрические генераторы--термоэлектрические модули--термоэлектрические элементы--элементы пельтье
Аннотация: В компактных системах охлаждения могут применяться термоэлектрические элементы, часто называемые термоэлектрическими модулями или просто модулями Пельтье. Использование таких модулей достаточной мощности в системах охлаждения позволяет поддержать температуру защищаемых объектов ниже температуры окружающей среды.
Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)