Научная библиотека СГЮА

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

Книги фонда НБ СГЮА

Дипломные работы выпускников СГЮА за последние 5 лет

Авторефераты

Диссертации

Период.издания науч.абонемента

Редкие книги Научной библиотеки СГЮА

Каталог электронных носителей

Труды ученых СГЮА

Саратовский край

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=эпитаксиальные пленки<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Коротаев А. Г., Коханенко А. П., Григорьев Д. В., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Сидоров Ю. Г., Михайлов Н. Н., Талипов Н. Х.
Заглавие : Динамика накопления электрически активных радиационных дефектов при имплантации варизонных эпитаксиальных пленок МЛЭ КРТ
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2006. - N 9. - С. 25-28
Примечания : Библиогр.: с. 25-28 (7 назв. ). - RUMARS-izph06_000_009_0025_1
ISSN: 0021-3411
УДК : 621.315.592
ББК : 31.15
Предметные рубрики: Энергетика-- Энергетические ресурсы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эпитаксиальные пленки--радиационные дефекты--динамика накопления--ионное легирование--накопление радиационных дефектов--имплантация эпитаксиальных пленок
Аннотация: Проведено исследование динамики накопления электрически активных радиационных дефектов при ионном легировании эпитаксиальных пленок Cd[x]Hg[1-x]Te с различным распределеним состава материала в области внедрения имплантанта. Образцы эпитаксиальных пленок облучались ионами бора при комнатной температуре в непрерывном режиме в диапазоне доз 10{11} - 3*10{15} см{-2}, энергий 20-150 кэВ, плотности тока ионов = 0, 001-0, 2мкА*см{-2}. Обнаружено, что натуральный логарифм скорости введения электрически активных радиационных дефектов линейным образом зависит от состава материала эпитаксиальной пленки в области среднего проецированного пробега имплантируемых ионов. Анализ полученных экспериментальных данных показывает, что динамика накопления электрически активных радиационных дефектов определяется составом материала эпитаксиальной пленки в области внедрения имплантируемых ионов.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Емельянов Е. А., Коханенко А. П., Пчеляков О. П., Лошкарев И. Д., Селезнев В. А., Путято М. А., Семягин Б. Р., Преображенский В. В., Zhicuan Niu, Haiqiao Ni
Заглавие : Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001)
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 1. - С.49-54: рис. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2013/56/1). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 54 (10 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): атомно-силовая микроскопия--вицинальная подложка--кристаллографические свойства пленок--метод млэ--молекулярно-лучевая эпитаксия--морфология поверхности--эпитаксиальные пленки--эпитаксия
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) выращены пленки GaAs на подложках Si, отклоненных от плоскости (001) на 6° в направлении. Пленки GaAs выращивались как на поверхности Si, терминированной атомами мышьяка, так и на тонких псевдоморфных слоях GaP/Si. Зарождение слоев GaAs осуществлялось методом атомно-слоевой эпитаксии при низкой температуре. Выращенные структуры различались кристаллографической ориентацией пленки GaAs относительно направления отклонения подложки. Методами рентгеновской дифрактометрии и атомно-силовой микроскопии (АСМ) проведены исследования выращенных структур.
Найти похожие

Тематический навигатор

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)