Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска
Книги фонда НБ СГЮА
Дипломные работы выпускников СГЮА за последние 5 лет
Авторефераты
Диссертации
Период.издания науч.абонемента
Редкие книги Научной библиотеки СГЮА
Каталог электронных носителей
Труды ученых СГЮА
Саратовский край
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=плазменный резонанс<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Skripal A. V., Ponomarev D. V., Komarov A. A., Sharonov V. E.
Заглавие : Tamm resonances control in one-dimensional microwave photonic crystal for measuring parametrs of heavily doped semiconductor layers
Серия: Научный отдел .
    Радиофизика, электроника, акустика
Место публикации : Известия Саратовского университета. Новая серия. Сер.: Физика. - 2022. - Вып. 2. - С.123-130: рис. (Шифр isg2/2022/2)
Примечания : Библиогр.: с. 128-130 (49 назв.). - Библиогр. на рус. и англ. яз.
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): x-диапозон--свч фотонные кристаллы--измерение проводимости--плазменный резонанс--сильно легированный проводник
Аннотация: Исследована возможность управления фотонными таммовскими резонансами в одномерном СВЧ фотонном кристалле с диэлектрическим заполнением с помощью изменения толщины слоя фотонного кристалла, граничащего с сильнолегированным слоем полупроводниковой GaAs структуры. Управляемые фотонные таммовские резонансы в микроволновом диапазоне частот использованы для измерения удельной электропроводности сильнолегированных полупроводниковых слоёв. Показано, что для достижения высокой чувствительности таммовского резонанса к изменению удельной электропроводности сильнолегированного слоя, необходима определенная перестройка частоты таммовского резонанса, величина которой определяется величиной удельной электропроводности сильнолегированного слоя. Возможность наблюдения плазменного резонанса в инфракрасном диапазоне позволило определить концентрацию и подвижность свободных носителей заряда в сильнолегированном слое полупроводниковой GaAs структуры.
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)