Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=облучение кристаллов форстерита<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Верхотурова, Ирина Владимировна (канд. физ.-мат. наук; ст. преподаватель каф. ФМиЛТ)
Заглавие : Механизмы образования радиационных центров окраски в кристаллах Cr: Mg2SiO4 и Mg2SiO4, облученных электронами высоких энергий
Серия: Физика и материаловедение
Место публикации : Вестник Амурского государственного университета. - 2008. - Вып. 41. Сер. Естеств. и экон. науки. - С.23-24: Ил., 2 рис.
Примечания : Библиогр. в конце ст.
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионизирующее излучение--кристаллы--лазерные кристаллы--облучение кристаллов форстерита--кислородные вакансии--о-центры--f-центры
Аннотация: В настоящей статье рассмотрено установление механизмов образования центров окраски в кристаллах Cr: Mg2SiO4, облученных ионизирующими излучениями, определение влияния концентрации хрома и дозы ионизирующего излучения кинетику радиационных центров окраски в оксидных лазерных кристаллах.
Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)