Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=кристаллография<.>)
Общее количество найденных документов : 93
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.


   
    Tamm resonances control in one-dimensional microwave photonic crystal for measuring parametrs of heavily doped semiconductor layers [Text] / A. V. Skripal, D. V. Ponomarev, A. A. Komarov, V. E. Sharonov // Известия Саратовского университета. Новая серия. Сер.: Физика. - 2022. - Вып. 2. - С. 123-130 : рис. - Библиогр.: с. 128-130 (49 назв.). - Библиогр. на рус. и англ. яз.
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
X-диапозон -- СВЧ фотонные кристаллы -- измерение проводимости -- плазменный резонанс -- сильно легированный проводник
Аннотация: Исследована возможность управления фотонными таммовскими резонансами в одномерном СВЧ фотонном кристалле с диэлектрическим заполнением с помощью изменения толщины слоя фотонного кристалла, граничащего с сильнолегированным слоем полупроводниковой GaAs структуры. Управляемые фотонные таммовские резонансы в микроволновом диапазоне частот использованы для измерения удельной электропроводности сильнолегированных полупроводниковых слоёв. Показано, что для достижения высокой чувствительности таммовского резонанса к изменению удельной электропроводности сильнолегированного слоя, необходима определенная перестройка частоты таммовского резонанса, величина которой определяется величиной удельной электропроводности сильнолегированного слоя. Возможность наблюдения плазменного резонанса в инфракрасном диапазоне позволило определить концентрацию и подвижность свободных носителей заряда в сильнолегированном слое полупроводниковой GaAs структуры.


Доп.точки доступа:
Skripal, A. V. (профессор); Ponomarev, D. V. (доцент); Komarov, A. A. (аспирант); Sharonov, V. E. (магистр)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

2.


   
    The peculiarities of dynamic behavior of sodium salt carboxymethylcellulose in water solutions [Text] / V. V. Chernova [и др.] // Вестник Башкирского университета. - 2016. - Т. 21, № 2. - С. 331 : ил. - Библиогр.: с. 331 (3 назв.)
УДК
ББК 24.7 + 22.37
Рубрики: Химия
   Химия высокомолекулярных соединений

   Физика

   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
carboxymethylcellulose -- chitosan -- sodium salt -- viscosity -- water solutions -- водные растворы -- вязкость -- карбоксиметилцеллюлоза -- натриевая соль -- труды БашГУ -- хитозан


Доп.точки доступа:
Chernova, V. V.; Miniakhmetova, S. R.; Shurshina, A. S.; Yuzlikbaeva, D. S.; Kulish, E. I.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

3.


    Базанова, Екатерина.
    [Русский нобель по физике] [Текст] / Екатерина Базанова, Максим Мартемьянов, Даниил Туровский // Новое время. - 2010. - N 44/45 (185). - С. 68-69 . - ISSN 0137-072-
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
графен -- физики -- ученые -- эксперименты -- кристаллы -- твердые тела
Аннотация: О том, чем так ценен и примечателен графен и почему эксперименты с ним нельзя было провести в России, а можно в Англии, а также почему воспитанники советской физической школы не хотят возвращаться в Россию.


Доп.точки доступа:
Мартемьянов, Максим; Туровский, Даниил; Новоселов, К.; Гейм, А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

4.


    Караваев, Г. Ф.
    Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGan(0001) [Текст] / Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышов, А. Н. Разжувалов // Известия вузов. Физика. - 2012. - С. 34-40 : рис. - Библиогр.: c. 40 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
вюртцитные кристаллы -- гетероструктуры -- дырочные состояния -- квантовая яма -- метод огибающих функций -- огибающие функции -- уровень энергии -- условия сшивания
Аннотация: В рамках метода огибающих функций рассмотрены различные условия их сшивания на гетерограницах GaN/InGaN (0001). Обычно используются условия сшивания, при которых для состояний в центре плоской зоны Бриллюэна функции сшиваются с функциями, а производные с производными. В этом случае огибающие функции обладают симметрией (антисимметрией) относительно центра квантовой ямы. Такого не должно быть в анизотропных нитридных гетероструктурах. Предложены условия сшивания, основанные на псевдопотенциальных расчетах. Эти условия качественно отличаются от обычно используемых и приводят к разрывам огибающих функций на гетерограницах, а также к снятию упомянутой выше симметрии даже без учета встроенных полей спонтанной и пьезоэлектрической поляризации. Огибающие функции электронов оказываются сдвинутыми относительно центра квантовой ямы в направлении гексагональной оси [0001], а огибающие функции дырок - в противоположном направлении. Рассмотренные нами разные условия сшивания приводят к энергетическим уровням в яме, отличающимся друг от друга в пределах нескольких миллиэлектронвольт. Важные для оптических характеристик интегралы перекрывания огибающих функций электронов и дырок различаются незначительно при использовании разных условий сшивания, однако некоторые из них становятся ненулевыми за счет снятия искусственной симметрии.


Доп.точки доступа:
Чернышов, В. Н.; Разжувалов, А. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

5.


   
    Анализ запаса пластичности в очаге прокатки [Текст] / Н. А. Плосков [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2011. - С. 82-85. - Библиогр.: c. 85 (11 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 34.3 + 22.37
Рубрики: Физика
   Технология металлов

   Металлургия в целом

   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
автоволны локализации деформации -- запас пластичности -- механические свойства сплавов -- пластическая деформация -- пластичность -- прокатка
Аннотация: Проведено исследование напряженно-деформированного состояния циркониевого сплава в очаге холодной прокатки путем рассмотрения процесса эволюции автоволн локализации деформации и изменений скорости распространения ультразвука. Установлено, что на переходе от зоны осадки к зоне редуцирования происходит значительное исчерпание запаса пластичности материала, поэтому в указанном месте наиболее вероятно разрушение. Констатируется, что традиционные способы оценки запаса пластичности по механическим характеристикам выявить такое место не могут, необходим комплексный анализ картин макролокализации пластической деформации и результатов акустических измерений.


Доп.точки доступа:
Плосков, Н. А.; Данилов, В. И.; Зуев, Л. Б.; Болотина, И. О.; Орлова, Д. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

6.


    Варенцов, В. В.
    Анализ размеров кристаллов пластинчатой и игольчатой формы в процессе массовой кристаллизации из раствора [Текст] / Варенцов В. В. // Аспирант и соискатель. - 2020. - № 2 (116). - С. 21-26 : рис., табл. - Библиогр.: с. 26 (6 назв.). - Есть автор, заглавие, аннотация, ключевые слова на англ. языке . - ISSN 1608-9014
УДК
ББК 22.3 + 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
гранулометрический состав -- кристаллизация из раствора -- кристаллы игольчатой формы -- кристаллы пластинчатой формы -- математические выражения -- размеры кристаллов -- тиамин бромин -- формулы
Аннотация: Рассмотрена методика представления гранулометрического состава кристаллов игольчатой и пластинчатой формы двухмерным распределением по длине и ширине кристаллов. Дано нахождение математического выражения для описания распределений кристаллов на примере кристаллизации из раствора тиамина бромида (витамина В1).

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

7.


   
    Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе Cd_xHg_1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - С. 50-55 : рис. - Библиогр.: c. 55 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
КРТ МЛЭ -- гетероэпитаксиальные структуры -- зонная диаграмма -- квантовая яма -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наногетероструктуры -- полупроводниковые структуры -- фотолюминесценция структур
Аннотация: Представлена теоретическая модель описания зонной диаграммы и спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных (ГЭС) структур на основе Cd_xHg_1-xTe (КРТ) с потенциальными и квантовыми ямами (КЯ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Особенностью представленной модели является то, что в ней учтена зависимость электронного сродства от состава КРТ и температуры, а также композиционные зависимости концентраций электронов в собственном и дырок в вакансионно-легированном КРТ. Проведены расчёты и сравнение с экспериментальными данными спектров фотолюминесценции различных структур с КЯ, описанных в литературных источниках.


Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Горн, Д. И.; Ижнин, И. И.; Ижнин, А. И.; Гольдин, В. Д.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.; Сидоров, Ю. Г.; Якушев, М. В.; Варавин, В. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

8.


    Чибисова, Марина Анатольевна (канд. физ.-мат. наук; ст. преподаватель каф. БЖД).
    Атомная и электронная структура диоксида кремния [Текст] / М. А. Чибисова, А. Н. Чибисов // Вестник Амурского государственного университета. - 2008. - Вып. 43. Естеств. и экон. науки. - С. 23-25 : 1 табл.; 3 рис. - Библиогр.: с. 25 (12 назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллические материалы -- оксид кремния -- металлические наночастицы -- наночастицы серебра -- теория функционала электронной плотности -- тестовые расчеты -- атомная структура диоксида кремния -- электронная структура диоксида кремния
Аннотация: В данной работе приведены результаты расчета равновесной атомной и электронной структуры оксида кремния, выполненные методом функционала электронной плотности.


Доп.точки доступа:
Чибисов, Андрей Николаевич (канд. физ.-мат. наук; науч. сотрудник ИГиП ДВО РАН)

Найти похожие

9.


    Волков, Ю. В.
    Атомные радиусы и энергия решеток в минералах [Текст] / Волков Ю. В. // Аспирант и соискатель. - 2010. - N 3. - С. 61. - Библиогр.: с. 61 (2 назв. ) . - ISSN 1608-9014
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
минералы -- атомные радиусы -- кристаллы (физика) -- решетки (физика) -- энергия решетки
Аннотация: Отмечается большое значение атомных радиусов элементов в геохимии и минералогии: они определяют важнейший параметр минерала - энергию решетки. Показаны методы расчета энергии решеток.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.


    Лебедев, С. Г. (кандидат физико-математических наук).
    В поисках сверхпроводящего Грааля [Текст] / С. Г. Лебедев // Экология и жизнь. - 2012. - № 4. - С. 52-55
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
графены -- двумерные кристаллы -- атомы углерода -- углерод -- электронные свойства графенов -- углеродные пленки -- сверхпроводимость
Аннотация: О проводящих свойствах углеродных пленок, полученных распылением графита в электрической дуге.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)