Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ионная имплантация<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Нурматов Н. А., Эргашов Е. С., Отамуродов Г. Р., Талипов Н.
Заглавие : Исследование особенности фотоэлектронных спектров поверхности монокристалла молибдена, имплантированных низкоэнергетическими ионами ниобия
Серия: Естественные науки .
    Физика .
    Физическая электроника
Место публикации : Аспирант и соискатель. - 2012. - № 2. - С.90-93: 2 рис. - ISSN 1608-9014 (Шифр asps/2012/2). - ISSN 1608-9014
Примечания : Библиогр.: с. 93 (6 назв. )
УДК : 535.33
ББК : 22.344
Предметные рубрики: Физика
Спектроскопия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): спектроскопические исследования--монокристаллы молибдена--научные эксперименты--атомы (физика)--ионная имплантация--фотоэлектронная спектроскопия--опытно-экспериментальные исследования--экспериментальные исследования
Аннотация: Методами электронной оже-спектроскопии и ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии исследованы распределение фотоэлектронов монокристалла молибдена, имплантированные атомами ниобия.
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Волобуев, Влас Сергеевич, Лукашевич, Михаил Григорьевич
Заглавие : Электрические характеристики пленок полиэтилентерефталата, имплантированных ионами серебра
Серия: Физика
Место публикации : Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. - 2012. - № 1. - С.39-43. - ISSN 0321-0367 (Шифр vbu1/2012/1). - ISSN 0321-0367
Примечания : Библиогр.: с. 42 (22 назв. )
УДК : 537
ББК : 22.33
Предметные рубрики: Физика
Электричество и магнетизм в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электропроводность полимеров--ионы серебра--пленки полиэтилентерефталата--полиэтилентерефталат--имплантация ионов металлов--ионная имплантация--электронно-транспортные свойства--легированные полупроводники--металлические наночастицы
Аннотация: Механизмы электронного транспорта в модифицированных пленках и причины, обусловливающие отсутствие перехода диэлектрик - металл.
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Никитин М. С., Талипов Н. Х.
Заглавие : Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях Cd_xHg_1-xTe
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 5. - С.104-109. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2013/56/5). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 109 (13 назв. )
УДК : 621.315.2/.3
ББК : 31.232.3
Предметные рубрики: Энергетика
Кабельные изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероэпитаксиальные слои--ионная имплантация--фотодиоды
Аннотация: Представлены результаты измерений темновых ВАХ планарных диодов с разной площадью, изготовленных на основе гетероэпитаксиальных слоев МЛЭ КРТ p-типа при различных режимах ионной имплантации бора. Показано, что диоды с n{+}/n{-}/р-переходом обладают гораздо меньшими темновыми токами и более высоким дифференциальным сопротивлением R_d по сравнению с резкими n{+}-р-переходами. Экспериментально установлено, что для n-р-переходов с разной площадью вместо параметра R_dA более корректным является параметр R_dA+_эфф, где A_эфф - эффективная площадь сбора неосновных носителей заряда.
Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)