Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска
Книги фонда НБ СГЮА
Дипломные работы выпускников СГЮА за последние 5 лет
Авторефераты
Диссертации
Период.издания науч.абонемента
Редкие книги Научной библиотеки СГЮА
Каталог электронных носителей
Труды ученых СГЮА
Саратовский край
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=диоксид гафния<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Пахомов, Сергей
Заглавие : Второе дыхание 193-нм литографии, или Особенности 32-нм техпроцесса
Серия: Аппаратное обеспечение
Разночтения заглавия :: Особенности 32-нм техпроцесса
Место публикации : КомпьютерПресс. - 2009. - N 3. - С.76-79: ил. - ISSN 0868-6157. - ISSN 0868-6157
УДК : 004
ББК : 32.97
Предметные рубрики: Вычислительная техника
Вычислительная техника в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотехнологии--нанометровые технологии--32-нанометровые технологии--литография--иммерсионная литография--duv-литография--диоксид кремния--диоксид гафния
Аннотация: 32-нм технологии, как и последующие за ними 22-нметровые, будут основаны на DUV-литографии на базе 193-нм лазера. Статья расскажет о том, ка это стало возможным.
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)