Научная библиотека СГЮА

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

Книги фонда НБ СГЮА

Дипломные работы выпускников СГЮА за последние 5 лет

Авторефераты

Диссертации

Период.издания науч.абонемента

Редкие книги Научной библиотеки СГЮА

Каталог электронных носителей

Труды ученых СГЮА

Саратовский край

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=гетероструктуры<.>)

Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Мурин Д.
Заглавие : Много лет спустя
Место публикации : Открытые системы. - 2001. - N 3. - С. 77-80 (Шифр osys/2001)
Примечания : , , , НБ УлГУosys01_000_003
УДК : 001(09)
Предметные рубрики: Наука. Науковедение-- История науки
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нобелевская премия--транзисторы--микрочипы--гетероструктуры--информационные технологии
Аннотация: Два из трех открытий, заложивших основы современных информационных технологий, были отмечены Нобелевскими премиями по физике в 1947 году (открытие транзисторов) и в 1964 году (открытие лазерно-мазерного принципа). Третье, произошедшее в 1958 году, - создание интегральных схем - "дождалось" своей очереди только в 2000 году.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Алферов Ж.
Заглавие : Перспективы электроники в России : гетероструктурная электроника и акустоэлектроника
Серия: Экономика + бизнес
Место публикации : Электроника: наука, технология, бизнес. - 2004. - N 6. - С. 90-93 (Шифр entb/2004/6)
Примечания : RUMARS-entb04_000_006_0090_1
ISSN: ХХХХ-ХХХХ
УДК : 621.38
ББК : 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): свч-электроника--сбис--наногетероструктурная электроника--оптоэлектроника--гетероструктуры--светодиоды--лазеры--инжекционные лазеры--акустоэлектроника
Аннотация: Статья посвящена наиболее перспективным направлениям отечественной микроэлектроники.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 53/А 53
Автор(ы) : Алферов, Жорес Иванович (ученый-физик, лауреат Нобелевской премии)
Заглавие : К солнечному веку
Серия: Федеральное Собрание (парламент) Российской Федерации. Наука и политика в истории парламентаризма России-СССР. Материалы истории
Место публикации : Экология - XXI век: наука и политика. - 2007. - Т. 7, N 6 (45). - С.75-79
ГРНТИ : 29.33.01
УДК : 53
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): интервью--ученые--нобелевские лауреаты--научные исследования--физические науки--полупроводниковые гетероструктуры--полупроводниковые лазеры--наукоемкие отрасли промышленности--человеческий потенциал
Аннотация: Ответы Ж. И. Алферова на вопросы корреспондента газеты "Завтра" Н. Метельской.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Караваев Г. Ф., Чернышов В. Н., Разжувалов А. Н.
Заглавие : Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGan(0001)
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2012. - С.34-40: рис. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2012/55/7). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 40 (15 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вюртцитные кристаллы--гетероструктуры--дырочные состояния--квантовая яма--метод огибающих функций--огибающие функции--уровень энергии--условия сшивания
Аннотация: В рамках метода огибающих функций рассмотрены различные условия их сшивания на гетерограницах GaN/InGaN (0001). Обычно используются условия сшивания, при которых для состояний в центре плоской зоны Бриллюэна функции сшиваются с функциями, а производные с производными. В этом случае огибающие функции обладают симметрией (антисимметрией) относительно центра квантовой ямы. Такого не должно быть в анизотропных нитридных гетероструктурах. Предложены условия сшивания, основанные на псевдопотенциальных расчетах. Эти условия качественно отличаются от обычно используемых и приводят к разрывам огибающих функций на гетерограницах, а также к снятию упомянутой выше симметрии даже без учета встроенных полей спонтанной и пьезоэлектрической поляризации. Огибающие функции электронов оказываются сдвинутыми относительно центра квантовой ямы в направлении гексагональной оси [0001], а огибающие функции дырок - в противоположном направлении. Рассмотренные нами разные условия сшивания приводят к энергетическим уровням в яме, отличающимся друг от друга в пределах нескольких миллиэлектронвольт. Важные для оптических характеристик интегралы перекрывания огибающих функций электронов и дырок различаются незначительно при использовании разных условий сшивания, однако некоторые из них становятся ненулевыми за счет снятия искусственной симметрии.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Олешко В. И., Горина С. Г., Корепанов В. И., Лисицын В. М., Прудаев И. А., Толбанов О. П.
Заглавие : Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 1. - С.55-58: рис. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2013/56/1). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 58 (9 назв. )
УДК : 539.3/.6 + 535.37
ББК : 30.121 + 22.345
Предметные рубрики: Техника
Сопротивление материалов
Физика
Люминесценция
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вынужденное излучение--люминесценция тонкопленочных светодиодных структур--нитрид галлия--пленки gaas--светодиодные гетероструктуры--сильноточные электронные пучки--тонкопленочные светодиодные структуры
Аннотация: Изучена возможность применения сильноточных электронных пучков для люминесцентного контроля светодиодных гетероструктур InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки. Показано, что возбуждение образцов электронным пучком со стороны гетероструктуры приводит к интенсивной люминесценции эпитаксиальных слоев GaN и InGaN, характеристики которой определяются предысторией образцов. Обнаружено вынужденное излучение, возникающее в отдельных светодиодных структурах при достижении плотности энергии электронного пучка порогового значения. Переход в режим вынужденного излучения в InGaN-квантовых ямах сопровождается появлением светящегося «гало» вокруг зоны возбуждения.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Брус В. В., Ковалюк З. Д., Марьянчук П. Д.
Заглавие : Электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-Tio_2/n-GaP
Серия: Краткие сообщения
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 2. - С.108-109: рис. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2013/56/2). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 109 (8 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктуры--диоксид титана--окислы металлов--полупроводниковые гетероструктуры--фосфид галия
Аннотация: В статье рассмотрены электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-Tio_2/n-GaP.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Протасов Д. Ю., Новоселов А. Р., Комбаров Д. В., Костюченко В. Я., Долбак А. Е., Михайлов Н. Н., Дворецкий С. А.
Заглавие : Действие низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур кадмий - ртуть - теллур p-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 3. - С.69-74: рис. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2013/56/3). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 73-74 (17 назв. )
УДК : 53.07
ББК : 22.3с
Предметные рубрики: Физика
Физические приборы и методы физического эксперимента
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктуры кадмий - ртуть - теллур--кадмий - ртуть - теллур--низкотемпературные отжиги--оже-спектроскопия--фотодиоды
Аннотация: Отжиг образцов КРТ p-типа при температурах 90-120 °С приводит к резкому (на два-три порядка) увеличению концентрации дырок. Если перед отжигом поверхность образцов не была защищена фоторезистором, они имели контакт с водными растворами и во время отжига были закреплены с помощью индия, имеющего омический контакт с КРТ. Наличие индия на поверхности образцов приводит к появлению градиента элементов Hg и Cd в приповерхностной области при отжигах. Оже-спектроскопия не обнаруживает появление в таких образцах химических элементов, которые обычно являются акцепторами в КРТ. Акцептором, который приводит к возрастанию концентрации дырок, может являться водород.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Красников Г. Я.
Заглавие : Жизнь и деятельность Нобелевского лауреата
Серия: К 90-летию академика Жореса Ивановича Алферова
Место публикации : Вестник Российской академии наук. - 2020. - Т. 90, № 6. - С.503-507. - ISSN 0869-5873 (Шифр vran/2020/90/6). - ISSN 0869-5873
УДК : 001.89
ББК : 72.4
Предметные рубрики: Наука. Науковедение
Организация науки --Россия --Москва, 2020 г.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нобелевская премия по физике--волоконно-оптическая связь--гетеропереходы--двойные лазерные гетероструктуры--лазерные гетероструктуры--науковедение--полупроводники--ученые-физики--электронная промышленность--юбилеи
Аннотация: Статья посвящена 90-летию со дня рождения академика РАН Жореса Ивановича Алферова.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Заглавие : В память о выдающемся соотечественнике
Место публикации : Вестник Российской академии наук. - 2020. - Т. 90, № 6. - С.508-513. - ISSN 0869-5873 (Шифр vran/2020/90/6). - ISSN 0869-5873
УДК : 001.89
ББК : 72.4
Предметные рубрики: Наука. Науковедение
Организация науки --Россия --Москва, 2020 г.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): волоконно-оптическая связь--гетеропереходы--гетероструктурная фотоника--двойные лазерные гетероструктуры--лазерные гетероструктуры--науковедение--нобелевская премия по физике--полупроводники--полупроводниковая гетероструктурная фотоника--ученые-физики--фотоника--электронная промышленность--юбилеи
Аннотация: Статья посвящена жизни и деятельности выдающегося ученого-физика Жореса Ивановича Алферова.
Найти похожие

Тематический навигатор

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)