Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска
Книги фонда НБ СГЮА
Дипломные работы выпускников СГЮА за последние 5 лет
Авторефераты
Диссертации
Период.издания науч.абонемента
Редкие книги Научной библиотеки СГЮА
Каталог электронных носителей
Труды ученых СГЮА
Саратовский край
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=высокоомный GaAs<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Будницкий Д. Л., Новиков В. А., Прудаев И. А., Толбанов О. П., Яскевич Т. М.
Заглавие : Фотовольтаический эффект в контакте металл - высокоомный GaAs:Cr
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2012. - С.19-22: рис. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2012/55/7). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 22 (12 назв. )
УДК : 631.3
ББК : 40.7
Предметные рубрики: Сельское хозяйство
Механизация и электрификация сельского хозяйства в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): барьерные контакты металлов--высокоомный gaas--контакты металлов--фотовольтаический эффект
Аннотация: Представлены результаты исследований фотовольтаического эффекта в контактах ряда металлов с высокоомным GaAs: Cr. Высокоомный (ВО) GaAs был получен диффузией хрома в и-GaAs. В качестве металлов использованы V, Cr, Al. Для создания омических контактов применялся In. ФотоЭДС возбуждалась красным светом (hv = 1, 85 эВ), интенсивность возбуждения достигала 1, 5•10{21}см{-2}•с{-1}. Измерения фотоЭДС проведены при наличии несимметричных пар контактов к ВО-GaAs: V-In, Cr-In, Al-In. Показано, что V, Cr, Al образуют в контакте с высокоомным GaAs: Cr барьеры для электронов. Величина фотоЭДС исследованных контактов определяется инверсией типа проводимости приповерхностного слоя GaAs под металлическим контактом. Концентрация дырок в инверсном слое может достигать 10{15}см{-3}. Контакт из индия к высокоомному GaAs: Cr является омическим инжектирующим для электронов контактом с высотой барьера для дырок 0, 9 эВ.
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)