Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=вицинальная подложка<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Емельянов Е. А., Коханенко А. П., Пчеляков О. П., Лошкарев И. Д., Селезнев В. А., Путято М. А., Семягин Б. Р., Преображенский В. В., Zhicuan Niu, Haiqiao Ni
Заглавие : Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001)
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 1. - С.49-54: рис. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2013/56/1). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 54 (10 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): атомно-силовая микроскопия--вицинальная подложка--кристаллографические свойства пленок--метод млэ--молекулярно-лучевая эпитаксия--морфология поверхности--эпитаксиальные пленки--эпитаксия
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) выращены пленки GaAs на подложках Si, отклоненных от плоскости (001) на 6° в направлении. Пленки GaAs выращивались как на поверхности Si, терминированной атомами мышьяка, так и на тонких псевдоморфных слоях GaP/Si. Зарождение слоев GaAs осуществлялось методом атомно-слоевой эпитаксии при низкой температуре. Выращенные структуры различались кристаллографической ориентацией пленки GaAs относительно направления отклонения подложки. Методами рентгеновской дифрактометрии и атомно-силовой микроскопии (АСМ) проведены исследования выращенных структур.
Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)