Поисковый запрос: (<.>A=Трубочкина, Надежда Константиновна$<.>) |
Общее количество найденных документов : 12
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1. 
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Трубочкина, Надежда Константиновна (д-р техн. наук ; проф.)
Заглавие : Переходная 3D наносхемотехника - новая концепция и новое качество в создании трехмерных интегральных схем
Параллельн. заглавия :3D Junction Circuit Engineering as a new Conceptand new Quality in Creation of the Three-Dimensional Intergrated Circuits
Серия: Приборы, методы и технологии
Место публикации : Качество. Инновации. Образование. - 2009. - N 5. - С.31-41: 5 табл., 10 рис. - ISSN хххх-хххх. - ISSN хххх-хххх
Примечания : Библиогр.: с. 40 (19 назв. )
УДК : 621.38 + 621.382
ББК : 32.85 + 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микросхемы--интегральные схемы--трехмерные интегральные схемы--наносхемотехника--схемотехника--интегральная схемотехника--переходная схемотехника--программное обеспечение
Аннотация: Автор предлагает концепцию и новый подход к пониманию и освоению свойств трехмерных интегральных схем. Разработан математический аппарат для синтеза математических моделей переходной схемотехники и их визуализации.
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Трубочкина, Надежда Константиновна (д-р техн. наук ; проф.)
Заглавие : Моделирование внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм и электрическим воздействием на электроды
Параллельн. заглавия :Internal and Surface p-n Junctions Simulation With a Minimum 20 nm Topological Size and Electrical Effect on Electrodes
Серия: Приборы, методы и технологии
Место публикации : Качество. Инновации. Образование. - 2010. - N 5. - С.46-56: 11 рис., 2 табл. (Шифр kaio/2010/5)
Примечания : Библиогр.: с. 53, 56 (15 назв. ). - Продолж. следует
УДК : 004.27
ББК : 32.973-02
Предметные рубрики: Вычислительная техника
Перспективные архитектуры
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): топологические размеры--электроды--анализ--моделирование p-n переходов--внутренние p-n переходы--поверхностные p-n переходы--p-n переходы--3d-моделирование--2d-моделирование--уравнение пуассона--пуассона уравнение--транспортные уравнения--нанотехнологии
Аннотация: Приводятся результаты и качественный анализ 2D и 3D моделирования внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм с электрическим воздействием на электроды.
Найти похожие
|
3.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Трубочкина, Надежда Константиновна (д-р техн. наук ; проф.), Воробьев В. В., Соснин А. А.
Заглавие : Качественно новая четырехслойная И-НЕ для логических схем суперкомпьютеров
Параллельн. заглавия :Qualitatively New 4-Lavers Nanostructure and-not for the Logic Circuits of Supercomputers
Серия: Внедрение ИПИ (CALS) -технологий
Место публикации : Качество. Инновации. Образование. - 2010. - N 9. - С.52-55: 4 рис. (Шифр kaio/2010/9)
Примечания : Библиогр.: с. 54-55 (30 назв. )
УДК : 004.38 + 004
ББК : 32.973 + 32.97
Предметные рубрики: Вычислительная техника
Виды компьютеров
Вычислительная техника в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): четырехслойная наноструктура--суперкомпьютеры--логические схемы--четырехслойные логические наноструктуры--логические элементы
Аннотация: Рассматривается синтез и моделирование четырехслойной логической наноструктуры, реализующей функцию И-НЕ. Структура обладает качественно лучшими параметрами в сравнении с транзисторным аналогом как в микро, так и нанодиапазоне.
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Трубочкина, Надежда Константиновна (д-р техн. наук ; проф.)
Заглавие : Моделирование внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм и электрическим воздействием на электроды
Параллельн. заглавия :Internal and Surface p-n Junctions Simulation With a Minimum 20 nm Topological Size and Electrical Effect on Eltctrodes
Серия: Приборы, методы и технологии
Место публикации : Качество. Инновации. Образование. - 2010. - N 6. - С.55-63: 5 табл. (Шифр kaio/2010/6)
Примечания : Библиогр.: с. 63 (15 назв. ). - Продолж. Начало: N 5
УДК : 004.2
ББК : 32.973-02
Предметные рубрики: Вычислительная техника
Архитектура вычислительных машин в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноструктуры--p-n переходы--электрическое воздействие--моделирование 3d структуры--2d-моделирование--3d-моделирование--топологические размеры
Аннотация: Приводятся результаты и качественный анализ 2D и 3D моделирования внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм с электрическим воздействием на электроды. Промоделированы 17 основных параметров наноструктур в 2D и 3D реализациях.
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Трубочкина, Надежда Константиновна (д-р техн. наук ; проф.), Попович И. П., Орлов П. В.
Заглавие : Качественно новая слоистая наноструктура ячейки памяти для суперкомпьютеров
Параллельн. заглавия :Qualitatively New Layered Memory Cell Nanostructure for Supercomputers
Серия: Приборы, методы и технологии
Место публикации : Качество. Инновации. Образование. - 2010. - N 10. - С.52-55: 4 рис. (Шифр kaio/2010/10)
Примечания : Библиогр.: с. 55 (8 назв. )
УДК : 004.38
ББК : 32.973
Предметные рубрики: Вычислительная техника
Виды компьютеров
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): суперкомпьютеры--ячейки памяти--слоистые наноструктуры--полупроводниковые наноструктуры--переходная схемотехника--наноструктуры--полупроводниковые слоистые наноструктуры
Аннотация: Авторами представлена качественно новая 4-слойная полупроводниковая наноструктура запоминающей ячейки в переходной схемотехнике. Структура обладает качественно лучшими параметрами в сравнении с транзисторным аналогом, как в микро, так и в нанодиапазоне.
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Трубочкина, Надежда Константиновна (д-р техн. наук ; проф.)
Заглавие : Моделирование внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм и электрическим воздействием на электроды
Параллельн. заглавия :Internal and Surface p-n Junctions Simulation With a Minimum 20 nm Topological Size and Electrical Effect on Eltctrodes
Серия: Приборы, методы и технологии
Место публикации : Качество. Инновации. Образование. - 2010. - N 6. - С.55-63: 5 табл. (Шифр kaio/2010/6)
Примечания : Библиогр.: с. 63 (15 назв. ). - Продолж. Начало: N 5
УДК : 004.2
ББК : 32.973-02
Предметные рубрики: Вычислительная техника
Архитектура вычислительных машин в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноструктуры--p-n переходы--электрическое воздействие--моделирование 3d структуры--2d-моделирование--3d-моделирование--топологические размеры
Аннотация: Приводятся результаты и качественный анализ 2D и 3D моделирования внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм с электрическим воздействием на электроды. Промоделированы 17 основных параметров наноструктур в 2D и 3D реализациях.
Найти похожие
|
7.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Трубочкина, Надежда Константиновна (д-р техн. наук ; проф.), Попович И. П., Орлов П. В.
Заглавие : Качественно новая слоистая наноструктура ячейки памяти для суперкомпьютеров
Параллельн. заглавия :Qualitatively New Layered Memory Cell Nanostructure for Supercomputers
Серия: Приборы, методы и технологии
Место публикации : Качество. Инновации. Образование. - 2010. - N 10. - С.52-55: 4 рис. (Шифр kaio/2010/10)
Примечания : Библиогр.: с. 55 (8 назв. )
УДК : 004.38
ББК : 32.973
Предметные рубрики: Вычислительная техника
Виды компьютеров
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): суперкомпьютеры--ячейки памяти--слоистые наноструктуры--полупроводниковые наноструктуры--переходная схемотехника--наноструктуры--полупроводниковые слоистые наноструктуры
Аннотация: Авторами представлена качественно новая 4-слойная полупроводниковая наноструктура запоминающей ячейки в переходной схемотехнике. Структура обладает качественно лучшими параметрами в сравнении с транзисторным аналогом, как в микро, так и в нанодиапазоне.
Найти похожие
|
8.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Трубочкина, Надежда Константиновна (доктор технических наук ; профессор)
Заглавие : Разработка и моделирование качественно новой 3D структуры КМОП инвертора с проектной нормой 20 нм - основы новой элементной базы энергосберегающих СБИС
Параллельн. заглавия :Development and Simulation of a New High Quality 3D Smos Inverter Nan0
Серия: Внедрение ИПИ (CALS) -технологий
Место публикации : Качество. Инновации. Образование. - 2011. - N 6. - С.58-63: 9 рис. (Шифр kaio/2011/6)
Примечания : Библиогр.: с. 63 (5 назв. )
УДК : 004 + 004.94
ББК : 32.97 + 32.973-018.2
Предметные рубрики: Вычислительная техника
Вычислительная техника в целом
Имитационное компьютерное моделирование
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноэлектроника--энергосбережение--схемотехника--компьютерное моделирование--моделирование--энергосберегающие сбис--наноструктуры--3d наноструктуры--технологические нормы--вертикальная интеграция--инверторы--кмоп-схемотехника
Аннотация: О результатах разработки нового вертикального КМОП инвертора, объединяющего достоинства КМОП-схемотехники и достоинства вертикальной интеграции вычислительных систем.
Найти похожие
|
9.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Трубочкина, Надежда Константиновна (доктор технических наук ; профессор)
Заглавие : Новая схемотехника с использованием нанопроводов - как возможная элементная база для персональных суперкомпьютеров
Параллельн. заглавия :New Circuitry Using Nanowires - as Possible Element Base for Personal Supercomputer
Серия: Внедрение ИПИ (CALS) -технологий
Место публикации : Качество. Инновации. Образование. - 2012. - № 4. - С.73-78: 19 рис. (Шифр kaio/2012/4)
Примечания : Библиогр.: с. 78 (10 назв.)
УДК : 004.38
ББК : 32.973
Предметные рубрики: Вычислительная техника
Виды компьютеров
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): схемотехника--нанопровода--суперкомпьютеры--персональные суперкомпьютеры--проекты--элементные базы
Аннотация: Автор исследует возможность создания и использования новой элементной базы на основе нанопроводов. Описываются известные проекты и предлагается новый подход с возможностью реализации на нанопроводах логических и запоминающих функций.
Найти похожие
|
10.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Трубочкина, Надежда Константиновна (доктор технических наук ; профессор)
Заглавие : Новый промышленный дизайн и технологии как результат физико-компьютерных фрактальных исследований
Параллельн. заглавия :A New Industrial Design and Technology as a Result of Mathematics-Computer Fractal Research
Серия: Приборы, методы и технологии
Место публикации : Качество. Инновации. Образование. - 2012. - № 5. - С.76-81: 8 рис. (Шифр kaio/2012/5)
Примечания : Библиогр.: с. 81 (3 назв.)
УДК : 004.9
ББК : 32.973-018.2
Предметные рубрики: Вычислительная техника
Прикладные информационные (компьютерные) технологии в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): промышленный дизайн--дизайн--архитектурный дизайн--фрактальный дизайн--фрактальные исследования--физико-компьютерные исследования--математико-компьютерное моделирование--новые промышленные технологии--промышленные технологии--информационные технологии--фракталы--алгебраические фракталы--компьютерные фрактальные исследования--прикладные информационные технологии--научно-поисковые исследования--научные исследования
Аннотация: О результатах научно-поисковых исследований и математическо-компьютерного моделирования в области фрактального дизайна. В результате математическо-компьютерных экспериментов предлагаются новые промышленные технологии в текстильной и строительной промышленности, а также в области архитектурного дизайна интерьеров и экстерьеров помещений и зданий.
Найти похожие
|
|
|
|
Главная
Описание
Шлюз Z39.50
Книги фонда НБ СГЮА
Стандартный