Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Комов, А. Н.$<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Колесникова А. А., Комов А. Н.
Заглавие : Использование методов TLM для оценки сопротивления омических контактов
Серия: Физика
Место публикации : Вестник Самарского государственного университета. - 2006. - N 2. - С. 155-160 (Шифр vssu/2006/2)
Примечания : Библиогр.: с. 159. - s, 2006, , rusRUMARS-vssu06_000_002_0155_1Научная библиотека Самарского государственного университетаЕстественнонаучная серия, N 2. - С. 155-160vssu06_000_002_0155_1, 2, 155-160
ISSN: 1810-5378
УДК : 621.38
ББК : 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): омические контакты--полупроводниковые приборы--tlm-метод--метод tlm
Аннотация: Предложена разновидность конфигурации контактных площадок с радиальной геометрией, имеющая ряд преимуществ при определении переходного сопротивления омических контактов, изготовленных к слоям полупроводника с высокой проводимостью. Рассмотрены различные варианты ее применения в методе TLM. Полученные результаты использованы при исследовании удельного сопротивления омических контактов, изготовленных на основе никеля к эпитаксиальным пленкам SiC/Si с электронной проводимостью, полученным химическим газотранспортным методом в открытой трубе с использованием кристаллических кремния и углерода.
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Комов А. Н., Чепурнов В. И., Трещев В. М., Яровой Г. П.
Заглавие : ТермоЭДС в гетероструктурах карбида кремния на кремниевой подложке в области сверхвысоких частот
Серия: Физика
Место публикации : Вестник Самарского государственного университета. Естественнонаучная серия. - 2004. - Второй спец. вып. - С. 65-84 (Шифр vssu/2004/0)
Примечания : Библиогр.: с. 93. - s, 2004, , rusRUMARS-vssu04_000_000_0065_2Научная библиотека Самарского государственного университетаЕстественнонаучная серия, Второй спец. вып. - С. 65-84vssu04_000_000_0065_2, 0, 65-84
ISSN: 1810-5378
УДК : 621.38
ББК : 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): термоэдс--холла эффект--эффект холла--полупроводники--термоэлектрические силы--карбид кремния
Аннотация: В данной работе проводится анализ одного из паразитных эффектов, влияющего на выходной сигнал полупроводникового преобразователя Холла, - явление термоЭДС. Преобразователь Холла представляет собой тонкопленочный элемент из карбида кремния на подложке. Проводится эксперимент по изучению характеристик датчика Холла на основе гетероструктуры SiC/Si в поле электромагнитной волны частотой 40 Ггц. Приводятся результат измерений и их анализ. Показано, что термоЭДС не влияет на результат измерений, ее величина не превышает ошибки измерений и составляет 10%. Разработанная конструкция датчика СВЧ-мощности, состоящего из преобразователя Холла и волноводной головки, позволяет исключить влияние выпрямления на контактах "металл-полупроводник". Полученные результаты могут быть полезны при изучении свойств гетероструктур SiC/Si в области сверхвысоких частот, а также для разработчиков СВЧ измерительной техники.
Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)