Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска
Книги фонда НБ СГЮА
Дипломные работы выпускников СГЮА за последние 5 лет
Авторефераты
Диссертации
Период.издания науч.абонемента
Редкие книги Научной библиотеки СГЮА
Каталог электронных носителей
Труды ученых СГЮА
Саратовский край
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Казаков, Олег Григорьевич$<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Казаков, Олег Григорьевич (доцент; кандидат химических наук; доцент), Радьков, Арсений Владимирович, Малаханов, Алексей Алексеевич
Заглавие : Влияние геометрии полупроводниковых пластин на их качество
Параллельн. заглавия :The Influence of the Geometry of Semiconductor Wafers on Their Quality
Серия: Приборы, методы, технологии
Место публикации : Качество. Инновации. Образование. - 2020. - № 3. - С.32-36: 3 рис. - ISSN 1999-513Х (Шифр kaio/2020/3). - ISSN 1999-513Х
Примечания : Библиогр.: с. 35 (4 назв.)
УДК : 531.7 + 66
ББК : 22.21 + 35
Предметные рубрики: Механика
Измерение механических и геометрических величин
Химическая технология
Общие вопросы химической технологии
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): внутренние напряжения--кремний--механическая обработка--механическая прочность--микротрещины--неоднородность--осесимметричные изгибы--полупроводниковые пластины
Аннотация: В статье рассматривается механическая прочность и ее распределение по площади кремниевых пластин. Результаты работы показали, что прочность кремниевых пластин неоднородна по их поверхности, причем при увеличении диаметра неоднородность усиливается.
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Казаков, Олег Григорьевич (доцент; кандидат химических наук), Радьков, Арсений Владимирович
Заглавие : Исследование механизма образования микротрещин в кристаллах кремния
Параллельн. заглавия :The Study of the Mechanism of Formation of Microcracks in Silicon Crystals
Серия: Приборы, методы, технологии
Место публикации : Качество. Инновации. Образование. - 2020. - № 6. - С.86-89. - ISSN 1999-513Х (Шифр kaio/2020/6). - ISSN 1999-513Х
Примечания : Библиогр.: с. 88-89 (5 назв.)
УДК : 669
ББК : 34.1
Предметные рубрики: Технология металлов
Общая технология металлов
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): деформация--концентрация атомов акцепторной примеси--концентрация атомов кремния--кремниевые пластины--механическая обработка--механические напряжения--микротрещины--подвижность дырок--полупроводниковые изделия--прочность кремниевых пластин--теория механической прочности--типы микротрещин--трещины--электропроводность--энергия активации примесных уровней
Аннотация: В данной статье представлена теория механической прочности кремниевых пластин. Рассмотрены два типа трещин. Одни образуются в процессе механического нагружения, другие - в процессе механической обработки. Рассмотрено влияние электропроводности на механическую прочность кремниевых пластин.
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Казаков, Олег Григорьевич (кандидат химических наук; доцент), Радьков, Арсений Владимирович, Радькова, Наталья Олеговна
Заглавие : Исследование механизма влияния концентрации носителей заряда на механическую прочность кремниевых пластин с дырочной проводимостью
Параллельн. заглавия :The Investigation of the Influence`s Mechanism of the Concentration of Charge Carriers on the Mechanical Strength of Silicon Wafers with Hole Conductivity
Серия: Приборы, методы, технологии
Место публикации : Качество. Инновации. Образование. - 2022. - № 1. - С.68-72: рис., табл. - ISSN 1999-513Х (Шифр kaio/2022/1). - ISSN 1999-513Х
Примечания : Библиогр.: с. 71 (5 назв.)
УДК : 669 + 536.7
ББК : 34.1 + 22.317
Предметные рубрики: Технология металлов
Общая технология металлов
Физика
Термодинамика и статистическая физика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): интенсивность электрических полей--ковалентная связь--концентрация дырок--концентрация носителей заряда--кремниевые пластины--механические напряжения--механическое воздействие--микротрещины--осесимметричные изгибы--энергетическое воздействие--энергия образования связи
Аннотация: В статье механизм влияния концентрации носителей заряда на механическую прочность кремниевых пластин под механическим воздействием. Рассмотрено влияние величины концентрации дырок на длину микротрещины и механическую прочность кремниевых пластин. При механическом воздействии происходит смещение дефектов структур (дырок) в область более высоких механических напряжений.
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)