Научная библиотека СГЮА

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

Книги фонда НБ СГЮА

Дипломные работы выпускников СГЮА за последние 5 лет

Авторефераты

Диссертации

Период.издания науч.абонемента

Редкие книги Научной библиотеки СГЮА

Каталог электронных носителей

Труды ученых СГЮА

Саратовский край

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Дворецкий, С. $<.>)

Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Коротаев А. Г., Коханенко А. П., Григорьев Д. В., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Сидоров Ю. Г., Михайлов Н. Н., Талипов Н. Х.
Заглавие : Динамика накопления электрически активных радиационных дефектов при имплантации варизонных эпитаксиальных пленок МЛЭ КРТ
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2006. - N 9. - С. 25-28
Примечания : Библиогр.: с. 25-28 (7 назв. ). - RUMARS-izph06_000_009_0025_1
ISSN: 0021-3411
УДК : 621.315.592
ББК : 31.15
Предметные рубрики: Энергетика-- Энергетические ресурсы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эпитаксиальные пленки--радиационные дефекты--динамика накопления--ионное легирование--накопление радиационных дефектов--имплантация эпитаксиальных пленок
Аннотация: Проведено исследование динамики накопления электрически активных радиационных дефектов при ионном легировании эпитаксиальных пленок Cd[x]Hg[1-x]Te с различным распределеним состава материала в области внедрения имплантанта. Образцы эпитаксиальных пленок облучались ионами бора при комнатной температуре в непрерывном режиме в диапазоне доз 10{11} - 3*10{15} см{-2}, энергий 20-150 кэВ, плотности тока ионов = 0, 001-0, 2мкА*см{-2}. Обнаружено, что натуральный логарифм скорости введения электрически активных радиационных дефектов линейным образом зависит от состава материала эпитаксиальной пленки в области среднего проецированного пробега имплантируемых ионов. Анализ полученных экспериментальных данных показывает, что динамика накопления электрически активных радиационных дефектов определяется составом материала эпитаксиальной пленки в области внедрения имплантируемых ионов.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Дворецкий С. (проф.), Муратова Е., Федоров И.
Заглавие : SADT - методология моделирования процесса подготовки студентов
Серия: Обсуждаем проблему
Место публикации : Высшее образование в России. - 2007. - N 5. - С. 67-74
Примечания : Библиогр.: с. 74 (3 назв. ). - RUMARS-vobr07_000_005_0067_1
ISSN: 0869-3617
УДК : 378
ББК : 74.58
Предметные рубрики: Образование. Педагогика-- Высшее профессиональное образование, 21 в. нач.
Географич. рубрики: Россия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): высшие учебные заведения--инновационная деятельность--подготовка студентов--моделирование процесса подготовки--модели подготовки бакалавров--подготовка бакалавров--модели подготовки магистров--подготовка магистров--системы моделирования--sadt-методология--structured analysis and design technique--idefo-модели--idefo-диаграммы
Аннотация: Об использовании SADT-методологии при моделировании процесса подготовки студентов к инновационной деятельности.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 378/М 71
Автор(ы) : Мищенко С. (проф.; ректор), Дворецкий С., Таров В.
Заглавие : ГИНОС : управление подготовкой преподавателя технического вуза
Серия: Навстречу международному симпозиуму
Место публикации : Высшее образование в России. - 2008. - N 5. - С.42-48. - ISSN 0869-3617. - ISSN 0869-3617
Примечания : Библиогр.: с. 48 (2 назв. )
УДК : 378
ББК : 74.58
Предметные рубрики: Образование. Педагогика
Высшее профессиональное образование --Россия --Тамбов --Черноголовка, 21 в. нач.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вузы--высшие учебные заведения--технические вузы--гибкая интегрированная научно-образовательная система--гинос--управление подготовкой преподавателей--подготовка преподавателей--повышение квалификации
Аннотация: Представлен опыт работы Тамбовского государственного технического университета по подготовке преподавателей в условиях гибкой интегрированной научно-образовательная системы.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Дворецкий С.
Заглавие : "Когда в пути застанет вас рассвет... " : [стихотворение]
Серия: Поэзия .
Стихи поэтов России
Место публикации : Молодая гвардия. - 2010. - N 4. - С.177-178. - ISSN 0131-2251 (Шифр mogv/2010/4). - ISSN 0131-2251
УДК : 821.161.1"1992/..."
ББК : 84(2Рос=Рус)6
Предметные рубрики: Художественная литература
Современная русская литература (произведения)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): поэзия--стихи--стихотворения
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Дворецкий С.
Заглавие : Божья кара : рассказ
Серия: Писательское братство
Место публикации : Молодая гвардия. - 2010. - N 7/8. - С.239-245. - ISSN 0131-2251. - ISSN 0131-2251
УДК : 821.161.1"1992/..."
ББК : 84(2Рос=Рус)6
Предметные рубрики: Художественная литература
Современная русская литература (произведения)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): проза--рассказы--художественные произведения
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Дворецкий, Сергей (музыкант)
Заглавие : Сергей Дворецкий: Музыка универсальна
Серия: Наша музыка
Разночтения заглавия :: Дворецкиий: Музыка универсальна
Место публикации : Студенческий меридиан. - 2011. - N 4. - С.70-71: фот. - ISSN 0321-3803 (Шифр stme/2011/4). - ISSN 0321-3803
УДК : 782/785
ББК : 85.318.5
Предметные рубрики: Музыка и зрелищные искусства
Легкая музыка
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): интервью--музыка--рок-музыка--музыканты--рок-музыканты--рок-группы
Аннотация: Интервью с вокалистом рок-группы "The СкаZки" Сергеем Дворецким.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Горн Д. И., Ижнин И. И., Ижнин А. И., Гольдин В. Д., Михайлов Н. Н., Дворецкий С. А., Сидоров Ю. Г., Якушев М. В., Варавин В. С.
Заглавие : Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе Cd_xHg_1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2012. - С.50-55: рис. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2012/55/8). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 55 (17 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): крт млэ--гетероэпитаксиальные структуры--зонная диаграмма--квантовая яма--молекулярно-лучевая эпитаксия--наногетероструктуры--полупроводниковые структуры--фотолюминесценция структур
Аннотация: Представлена теоретическая модель описания зонной диаграммы и спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных (ГЭС) структур на основе Cd_xHg_1-xTe (КРТ) с потенциальными и квантовыми ямами (КЯ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Особенностью представленной модели является то, что в ней учтена зависимость электронного сродства от состава КРТ и температуры, а также композиционные зависимости концентраций электронов в собственном и дырок в вакансионно-легированном КРТ. Проведены расчёты и сравнение с экспериментальными данными спектров фотолюминесценции различных структур с КЯ, описанных в литературных источниках.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Васильев В. В., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Сидоров Ю. Г., Якушев М. В.
Заглавие : Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0,21-0,23)
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2012. - С.56-62: рис. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2012/55/8). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 62 (19 назв. )
УДК : 621.3
ББК : 31.264-04
Предметные рубрики: Энергетика
Детали и узлы электрических аппаратов
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): мдп-структура--металл-диэлектрик-полупроводник--молекулярно-лучевая эпитаксия--теллурид кадмия ртути--фотоэдс--фотоэлектрические свойства мдп-структур
Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости фотоЭДС МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) от напряжения смещения, частоты и температуры. Рассчитаны фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе эпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23), в том числе с учетом наличия приповерхностных варизонных слоев с повышенным составом CdTe при различных температурах. Проведено сравнение расчетных зависимостей с экспериментальными данными и показано, что дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) без варизонного слоя ограничено туннелированием через глубокие уровни, а для структур с варизонным слоем - диффузией носителей заряда.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Протасов Д. Ю., Новоселов А. Р., Комбаров Д. В., Костюченко В. Я., Долбак А. Е., Михайлов Н. Н., Дворецкий С. А.
Заглавие : Действие низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур кадмий - ртуть - теллур p-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 3. - С.69-74: рис. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2013/56/3). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 73-74 (17 назв. )
УДК : 53.07
ББК : 22.3с
Предметные рубрики: Физика
Физические приборы и методы физического эксперимента
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктуры кадмий - ртуть - теллур--кадмий - ртуть - теллур--низкотемпературные отжиги--оже-спектроскопия--фотодиоды
Аннотация: Отжиг образцов КРТ p-типа при температурах 90-120 °С приводит к резкому (на два-три порядка) увеличению концентрации дырок. Если перед отжигом поверхность образцов не была защищена фоторезистором, они имели контакт с водными растворами и во время отжига были закреплены с помощью индия, имеющего омический контакт с КРТ. Наличие индия на поверхности образцов приводит к появлению градиента элементов Hg и Cd в приповерхностной области при отжигах. Оже-спектроскопия не обнаруживает появление в таких образцах химических элементов, которые обычно являются акцепторами в КРТ. Акцептором, который приводит к возрастанию концентрации дырок, может являться водород.
Найти похожие

Тематический навигатор

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)