Поисковый запрос: (<.>A=Дворецкий, С. $<.>) |
Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9 |
1.
| Войцеховский А. В. Динамика накопления электрически активных радиационных дефектов при имплантации варизонных эпитаксиальных пленок МЛЭ КРТ/А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика, 2006,N N 9.-С.25-28
|
2.
| Дворецкий С. SADT - методология моделирования процесса подготовки студентов/С. Дворецкий, Е. Муратова, И. Федоров // Высшее образование в России, 2007,N N 5.-С.67-74
|
3.
| Мищенко С. ГИНОС/С. Мищенко, С. Дворецкий, В. Таров // Высшее образование в России, 2008,N N 5.-С.42-48
|
4.
| Дворецкий С. "Когда в пути застанет вас рассвет... "/Сергей Дворецкий // Молодая гвардия, 2010,N N 4.-С.177-178
|
5.
| Дворецкий С. Божья кара/Сергей Дворецкий // Молодая гвардия, 2010,N N 7/8.-С.239-245
|
6.
| Дворецкий С. Сергей Дворецкий: Музыка универсальна/беседовала Ольга Быстрых // Студенческий меридиан, 2011,N N 4.-С.70-71
|
7.
| Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе Cd_xHg_1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии/А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика, 2012.-С.50-55
|
8.
| Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0,21-0,23)/А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика, 2012.-С.56-62
|
9.
| Действие низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур кадмий - ртуть - теллур p-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии/Д. Ю. Протасов [и др.] // Известия вузов. Физика, 2013. т.Т. 56,N № 3.-С.69-74
|
|
|
Главная
Описание
Шлюз Z39.50
Книги фонда НБ СГЮА
Стандартный