Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Казаков, Олег Григорьевич (кандидат химических наук; доцент), Радьков, Арсений Владимирович, Радькова, Наталья Олеговна Заглавие : Исследование механизма влияния концентрации носителей заряда на механическую прочность кремниевых пластин с дырочной проводимостью Параллельн. заглавия :The Investigation of the Influence`s Mechanism of the Concentration of Charge Carriers on the Mechanical Strength of Silicon Wafers with Hole Conductivity Серия: Приборы, методы, технологии Место публикации : Качество. Инновации. Образование. - 2022. - № 1. - С.68-72: рис., табл. - ISSN 1999-513Х (Шифр kaio/2022/1). - ISSN 1999-513Х Примечания : Библиогр.: с. 71 (5 назв.) УДК : 669 + 536.7 ББК : 34.1 + 22.317 Предметные рубрики: Технология металлов Общая технология металлов Физика Термодинамика и статистическая физика Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): интенсивность электрических полей--ковалентная связь--концентрация дырок--концентрация носителей заряда--кремниевые пластины--механические напряжения--механическое воздействие--микротрещины--осесимметричные изгибы--энергетическое воздействие--энергия образования связи Аннотация: В статье механизм влияния концентрации носителей заряда на механическую прочность кремниевых пластин под механическим воздействием. Рассмотрено влияние величины концентрации дырок на длину микротрещины и механическую прочность кремниевых пластин. При механическом воздействии происходит смещение дефектов структур (дырок) в область более высоких механических напряжений. Доп.точки доступа: Радьков, Арсений Владимирович (старший преподаватель); Радькова, Наталья Олеговна (кандидат технических наук; доцент) |