Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Войцеховский А. В., Никитин М. С., Талипов Н. Х. Заглавие : Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях Cd_xHg_1-xTe Серия: Физика полупроводников и диэлектриков Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 5. - С.104-109. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2013/56/5). - ISSN 0021-3411 Примечания : Библиогр.: c. 109 (13 назв. ) УДК : 621.315.2/.3 ББК : 31.232.3 Предметные рубрики: Энергетика Кабельные изделия Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероэпитаксиальные слои--ионная имплантация--фотодиоды Аннотация: Представлены результаты измерений темновых ВАХ планарных диодов с разной площадью, изготовленных на основе гетероэпитаксиальных слоев МЛЭ КРТ p-типа при различных режимах ионной имплантации бора. Показано, что диоды с n{+}/n{-}/р-переходом обладают гораздо меньшими темновыми токами и более высоким дифференциальным сопротивлением R_d по сравнению с резкими n{+}-р-переходами. Экспериментально установлено, что для n-р-переходов с разной площадью вместо параметра R_dA более корректным является параметр R_dA+_эфф, где A_эфф - эффективная площадь сбора неосновных носителей заряда. Доп.точки доступа: Никитин, М. С.; Талипов, Н. Х.