Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Олешко В. И., Горина С. Г., Корепанов В. И., Лисицын В. М., Прудаев И. А., Толбанов О. П. Заглавие : Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком Серия: Физика полупроводников и диэлектриков Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 1. - С.55-58: рис. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2013/56/1). - ISSN 0021-3411 Примечания : Библиогр.: c. 58 (9 назв. ) УДК : 539.3/.6 + 535.37 ББК : 30.121 + 22.345 Предметные рубрики: Техника Сопротивление материалов Физика Люминесценция Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вынужденное излучение--люминесценция тонкопленочных светодиодных структур--нитрид галлия--пленки gaas--светодиодные гетероструктуры--сильноточные электронные пучки--тонкопленочные светодиодные структуры Аннотация: Изучена возможность применения сильноточных электронных пучков для люминесцентного контроля светодиодных гетероструктур InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки. Показано, что возбуждение образцов электронным пучком со стороны гетероструктуры приводит к интенсивной люминесценции эпитаксиальных слоев GaN и InGaN, характеристики которой определяются предысторией образцов. Обнаружено вынужденное излучение, возникающее в отдельных светодиодных структурах при достижении плотности энергии электронного пучка порогового значения. Переход в режим вынужденного излучения в InGaN-квантовых ямах сопровождается появлением светящегося «гало» вокруг зоны возбуждения. Доп.точки доступа: Олешко, В. И.; Горина, С. Г.; Корепанов, В. И.; Лисицын, В. М.; Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П.