Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Васильев В. В., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Сидоров Ю. Г., Якушев М. В. Заглавие : Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0,21-0,23) Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2012. - С.56-62: рис. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2012/55/8). - ISSN 0021-3411 Примечания : Библиогр.: c. 62 (19 назв. ) УДК : 621.3 ББК : 31.264-04 Предметные рубрики: Энергетика Детали и узлы электрических аппаратов Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): мдп-структура--металл-диэлектрик-полупроводник--молекулярно-лучевая эпитаксия--теллурид кадмия ртути--фотоэдс--фотоэлектрические свойства мдп-структур Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости фотоЭДС МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) от напряжения смещения, частоты и температуры. Рассчитаны фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе эпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23), в том числе с учетом наличия приповерхностных варизонных слоев с повышенным составом CdTe при различных температурах. Проведено сравнение расчетных зависимостей с экспериментальными данными и показано, что дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) без варизонного слоя ограничено туннелированием через глубокие уровни, а для структур с варизонным слоем - диффузией носителей заряда. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Васильев, В. В.; Варавин В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Якушев, М. В.