Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Колесникова А. А., Комов А. Н. Заглавие : Использование методов TLM для оценки сопротивления омических контактов Серия: Физика Место публикации : Вестник Самарского государственного университета. - 2006. - N 2. - С. 155-160 (Шифр vssu/2006/2) Примечания : Библиогр.: с. 159. - s, 2006, , rusRUMARS-vssu06_000_002_0155_1Научная библиотека Самарского государственного университетаЕстественнонаучная серия, N 2. - С. 155-160vssu06_000_002_0155_1, 2, 155-160 ISSN: 1810-5378 УДК : 621.38 ББК : 32.85 Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): омические контакты--полупроводниковые приборы--tlm-метод--метод tlm Аннотация: Предложена разновидность конфигурации контактных площадок с радиальной геометрией, имеющая ряд преимуществ при определении переходного сопротивления омических контактов, изготовленных к слоям полупроводника с высокой проводимостью. Рассмотрены различные варианты ее применения в методе TLM. Полученные результаты использованы при исследовании удельного сопротивления омических контактов, изготовленных на основе никеля к эпитаксиальным пленкам SiC/Si с электронной проводимостью, полученным химическим газотранспортным методом в открытой трубе с использованием кристаллических кремния и углерода. Доп.точки доступа: Комов, А. Н.